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龙图腾网获悉广州美维电子有限公司;上海美维电子有限公司申请的专利一种芯片封装结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725107B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411860786.4，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种芯片封装结构和方法是由冼润安;陈冬弟;廖奕涵;黄晓锋;何亚志;齐伟;白杨;黄双武设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片封装结构和方法在说明书摘要公布了：本申请属于芯片制作技术领域，公开了一种芯片封装结构和方法。本申请通过优化封装工艺，将散热模块和功率芯片模块在不同的工序中分别埋入芯板层或者芯板层以及重布线层内，降低了在一个工序中铣槽的面积，有效提高了PCB板的刚性和支撑性；减少了因树脂无法充分填充空隙而带来的空洞，提高了PCB板的成品的良率；通过将散热铜块和功率芯片模块分开在芯板层和重布线层埋入，降低了同层埋入散热模块和功率芯片模块时的加工难度，降低了PCB板在加工过程中的损坏；将散热模块和功率芯片模块埋入到不同的层中，丰富了散热模块和功率芯片模块的厚度尺寸的选择，丰富了产品的设计和功能多样性。

本发明授权一种芯片封装结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括： S1:在芯板的上表面和下表面进行图形转移处理； S2:对完成图形转移处理的芯板进行第一次铣槽加工，以形成第一嵌埋区域，所述第一嵌埋区域为贯穿芯板的通槽； S3:在所述第一嵌埋区域中粘贴第一模块，所述第一模块的厚度比内层芯板的厚度小，其中，当芯片的加工要求中功率芯片模块的厚度小于或等于散热模块的厚度时，在所述第一嵌埋区域中粘贴功率芯片模块，当芯片的加工要求中功率芯片模块的厚度大于散热模块的厚度时，在所述第一嵌埋区域中粘贴散热模块； S4:在芯板的上表面压合形成第一重布线结构，所述第一重布线结构的粘结片在压合过程中熔融填充第一嵌埋区域与第一模块之间的空隙； S5:在芯板的下表面压合形成第二重布线结构； S6:在所述第一重布线结构和所述第二重布线结构进行钻孔，在孔内填充第一金属连接件； S7:在所述第一重布线结构的表面和所述第二重布线结构的表面进行图形转移处理； S8:进行第二次铣槽加工，以形成第二嵌埋区域，所述第二嵌埋区域为贯穿第一重布线结构、芯板和第二重布线结构的通槽； S9:在第二嵌埋区域中粘贴第二模块，所述第二模块为散热模块或者功率芯片模块，第二模块与第一模块为不同的结构； S10:在第一重布线结构的表面压合形成第三重布线结构，所述第三重布线结构的粘结片在压合过程中熔融填充第二嵌埋区域与第二模块之间的空隙； S11:在第二重布线结构的表面压合形成第四重布线结构； S12:在第三重布线结构进行钻孔，在孔内填充第二金属连接件。

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