中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所沈炎宾获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种钠离子正极材料、正极浆料及其制备方法与正极极片和二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725449B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411901298.3，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种钠离子正极材料、正极浆料及其制备方法与正极极片和二次电池是由沈炎宾;李芯蕊;章伍军;赵鑫设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钠离子正极材料、正极浆料及其制备方法与正极极片和二次电池在说明书摘要公布了：本发明涉及一种钠离子正极材料、正极浆料及其制备方法与正极极片和二次电池，所述钠离子正极材料包括钠离子正极材料内核、包覆于钠离子正极材料内核表面的第一包覆层和包覆于第一包覆层外的第二包覆层；所述第一包覆层的原料包括具有疏水分子骨架和至少两个阴离子头基的有机材料；所述第二包覆层包括与有机材料中阴离子头基与水溶性盐反应后的沉淀产物。有机材料包覆层一方面能够起到辅助疏水的作用，另一方面，其具有至少两个阴离子头基，其中一侧的阴离子头基能够锚定在正极材料的表面，另一侧的阴离子头基与水溶性盐添加剂反应生成沉淀保护层，进一步提高疏水能力的同时还具有较高的离子电导率，保证了钠离子正极材料电化学性能的稳定。
本发明授权一种钠离子正极材料、正极浆料及其制备方法与正极极片和二次电池在权利要求书中公布了：1.一种钠离子正极材料，其特征在于，所述钠离子正极材料包括钠离子正极材料内核、包覆于钠离子正极材料内核表面的第一包覆层和包覆于第一包覆层外的第二包覆层； 所述第一包覆层的原料包括具有疏水分子骨架和至少两个阴离子头基的有机材料； 所述第二包覆层包括与有机材料中阴离子头基与水溶性盐反应后的沉淀产物。
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