中国电子科技集团公司第四十四研究所张圆圆获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利一种单电极双光敏区四象限PIN探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730422B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411924342.2，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权一种单电极双光敏区四象限PIN探测器及其制备方法是由张圆圆;任江;黄晓峰;柴松刚;柳聪;伍建松;张鹏辉;高猛设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单电极双光敏区四象限PIN探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单电极双光敏区四象限PIN探测器，属于半导体光电传感器芯片领域。该探测器包括衬底、缓冲层、吸收层以及位于吸收层表面且呈四象限分布的第一和第二PIN型光电二极管。各象限的第一PIN型光电二极管呈扇环形，第二PIN型光电二极管呈扇形；扇环形的第一PIN型光电二极管分布在扇形的第二PIN型光电二极管的外侧。在各象限间隔中设有金属走线，用于连接同一象限内的第一和第二PIN型光电二极管，实现一个象限内的第一和第二PIN型光电二极管共用一个P电极，同时实现各象限间隔挡光和增强探测器中心区域电场。本发明可兼容兼容大、小双光斑的工作模式，节省了卫星载荷、功耗，在卫星载荷应用方面具有显著的优势。
本发明授权一种单电极双光敏区四象限PIN探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单电极双光敏区四象限PIN探测器，包括衬底、位于所述衬底上表面的缓冲层、位于所述缓冲层上表面的吸收层、位于所述吸收层上表面的帽层以及位于所述衬底下表面的N电极，其特征在于，还包括形成于所述帽层中且呈四象限分布的第一PIN型光电二极管和呈四象限分布的第二PIN型光电二极管，各象限的所述第一PIN型光电二极管呈扇环形，各象限的所述第二PIN型光电二极管呈扇形；所述第一PIN型光电二极管分布在所述第二PIN型光电二极管的外侧，且所述第一PIN型光电二极管的面积大于所述第二PIN型光电二极管的面积；在各象限的所述第一PIN型光电二极管外侧均设置有一P电极； 在四象限的各象限间隔中设置金属走线，所述金属走线用于连接同一象限内的所述第一PIN型光电二极管和第二PIN型光电二极管，其中所述第二PIN型光电二极管通过所述第一PIN型光电二极管与象限所对应的所述P电极连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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