广东中图半导体科技股份有限公司罗凯获国家专利权
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龙图腾网获悉广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411868773.1，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法是由罗凯;王子荣;康凯;王农华设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法，包括：在衬底的沉积面上沉积激光吸收层；对激光吸收层进行图形化处理，形成图形化结构，在图形化结构上沉积氮化镓外延层；采用剥离激光从衬底底面照射激光吸收层，使被照射区域与氮化镓外延层相邻的上表面温度高于氮化镓的热分解温度。采用激光吸收层作为吸收剥离激光的功能层，利用激光吸收层升温至氮化镓热分解温度而实现临近氮化镓外延层的热分解，并且剥离激光的光子能量小于氮化镓的禁带宽度，所以剥离激光如何被聚焦均不会被氮化镓外延层吸收，相应的外延层也不会自产热。
本发明授权以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种以氮化镓为外延层的半导体器件制备方法，其特征在于，包括： 在衬底的沉积面上沉积激光吸收层，所述激光吸收层的禁带宽度小于氮化镓的禁带宽度，并且所述激光吸收层材料的熔点温度大于氮化镓的分解温度； 对所述激光吸收层进行图形化处理，形成图形化结构，所述图形化结构包括由所述激光吸收层形成的重复图形区域，以及位于重复图形区域之间并由衬底表面形成的非图形区域； 在所述图形化结构上沉积氮化镓外延层； 采用剥离激光从衬底底面照射所述激光吸收层，使所述激光吸收层被照射区域达到所述激光吸收层材料的熔点温度之前，所述被照射区域与所述氮化镓外延层相邻的上表面温度高于氮化镓的热分解温度；所述剥离激光的光子能量大于或者等于所述激光吸收层的禁带宽度但小于氮化镓的禁带宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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