电子科技大学李发明获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种醋酸铷掺杂电子传输层的正式钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730548B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411907582.1，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权一种醋酸铷掺杂电子传输层的正式钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由李发明;唐彬;刘明侦;弓爵设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种醋酸铷掺杂电子传输层的正式钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光伏电池技术领域，具体涉及一种醋酸铷掺杂电子传输层的正式钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其太阳能电池器件结构自下而上依次为FTO基底、电子传输层、掺杂电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极层，掺杂电子传输层为醋酸铷掺杂至二氧化锡SnO2水溶液，经旋涂退火所制得的薄膜层。本发明通过在钙钛矿薄膜埋底界面引入铷离子和醋酸根离子，促进钙钛矿薄膜的结晶过程，提升钙钛矿薄膜的结晶质量，并填充埋底界面的碘空位缺陷，成功降低了载流子的复合率，优化了电子传输层与钙钛矿层之间的能级匹配状况，最终提升了正式钙钛矿太阳能电池的功率转换效率，为其商业化应用及进一步的技术发展筑牢了根基。
本发明授权一种醋酸铷掺杂电子传输层的正式钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种醋酸铷掺杂电子传输层的正式钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括FTO导电玻璃，所述FTO导电玻璃上依次沉积有电子传输层、掺杂电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极层；所述钙钛矿吸光层的材料为FAxMA1‑xPbI3，其中0x1；所述空穴传输层组成成分包含Spiro‑OMeTAD、双三氟甲烷磺酰亚胺锂LiTFSI和4‑叔丁基吡啶TBP；所述电子传输层为通过水浴沉积法制得的二氧化锡SnO2层；所述电子传输层为在二氧化锡SnO2水溶液中掺杂醋酸铷小分子，经旋涂退火所制得的薄膜。
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