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龙图腾网获悉北京市科学技术研究院申请的专利一种抗原子氧聚合物复合薄膜的耦合离子束制备装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119736600B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411919978.8，技术领域涉及：C23C14/56；该发明授权一种抗原子氧聚合物复合薄膜的耦合离子束制备装置及方法是由张一凡;庞盼;侯庆艳;李倩;金小越;陈琳;罗军;廖斌设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗原子氧聚合物复合薄膜的耦合离子束制备装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗原子氧聚合物复合薄膜的耦合离子束制备装置及方法。本发明装置由收放卷系统、霍尔离子源刻蚀系统、MEVVA离子注入系统、磁过滤阴极真空弧沉积系统和高功率脉冲磁控溅射沉积系统组成；各系统间通过无氧铜O型密封圈连接；聚合物薄膜衬底在设备中进行传送，制备的复合膜层结构如图1所示；基于该技术制备的复合薄膜具有优异界面附着强度和膜基协同变形能力，可以有效缓解空间碎片碰撞与冷热循环所导致的防护薄膜开裂而诱发的AO掏蚀降解，大幅提升聚合物部件的服役寿命。

本发明授权一种抗原子氧聚合物复合薄膜的耦合离子束制备装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种抗原子氧聚合物复合薄膜的耦合离子束制备装置，其特征在于，包括： 真空室、第一导向室、第一隔离室、第二导向室、第二隔离室、第三导向室和第三隔离室； 其中，所述真空室、第一导向室、第一隔离室、第二导向室、第二隔离室、第三导向室和第三隔离室依次通过无氧铜O型密封圈连接； 所述真空室内设置有第一放卷辊、第二放卷辊和第三放卷辊和霍尔离子源刻蚀系统，所述第一放卷辊和第二放卷辊竖直排列；所述第三放卷辊设置于所述二放卷辊下方一侧，且高于第一放卷辊；所述霍尔离子源刻蚀系统设置于所述第二放卷辊和第三放卷辊之间； 所述第一导向室内设置有第一导向辊和第二导向辊，所述第一导向辊与所述第三放卷辊平行设置，所述第二导向辊设置于所述第一导向辊上方一侧； 所述第一隔离室内设置有第四放卷辊、第五放卷辊和MEVVA离子注入系统，所述第四放卷辊与所述第二导向辊平行设置，所述第五放卷辊设置于所述第四导向辊下方一侧；所述MEVVA离子注入系统设置于所述第四放卷辊和第五放卷辊之间； 所述第二导向室内设置有第三导向辊和第四导向辊，所述第三导向辊与所述第五放卷辊平行设置，所述第四导向辊设置于所述第三导向辊上方一侧； 所述第二隔离室内设置有第六放卷辊、第七放卷辊和磁过滤阴极真空弧沉积系统，所述第六放卷辊与所述第四导向辊平行设置，所述第七放卷辊设置于所述第六放卷辊下方一侧；所述磁过滤阴极真空弧沉积系统设置于所述第六放卷辊和第七放卷辊之间； 所述第三导向室内设置有第五导向辊和第六导向辊，所述第五导向辊与所述第七放卷辊平行设置，所述第六导向辊设置于所述第五导向辊上方一侧； 所述第三隔离室内设置有第八放卷辊、第九放卷辊、第十放卷辊和高功率脉冲磁控溅射沉积系统，所述第八放卷辊与所述第六导向辊平行设置，所述第九放卷辊设置于所述第八放卷辊下方一侧；所述第十放卷辊设置于所述第八放卷辊上方且与所述第九放卷辊竖直排列；所述高功率脉冲磁控溅射沉积系统设置于所述第八放卷辊和第九放卷辊之间。

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