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龙图腾网获悉上海帝迪集成电路设计有限公司申请的专利一种应用于高压的无运放稳压启动电路及其稳压启动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119739238B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411757440.1，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种应用于高压的无运放稳压启动电路及其稳压启动方法是由张开友;边强;周浩田设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于高压的无运放稳压启动电路及其稳压启动方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于高压的无运放稳压启动电路及其稳压启动方法，包含稳压电路和启动电路，启动电路产生偏置电流Ibias2，稳压电路中三极管Q7和PMOS管PDM2构成第一共射极放大器，NMOS管NDM2和PMOS管PDM3构成第一共源极放大器，PMOS管PDM4和三极管Q6、电阻R4和三极管Q5构成第二共源极放大器。本发明不需要额外设计预稳压电路和高压运算放大器，从而节省了芯片面积，而且稳压启动电路启动完成后，不需要关断启动电路。

本发明授权一种应用于高压的无运放稳压启动电路及其稳压启动方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于高压的无运放稳压启动电路，其特征在于：包含稳压电路和启动电路，启动电路产生偏置电流Ibias2，稳压电路包含三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、PMOS管PDM3、PMOS管PDM4、NMOS管NDM2和齐纳二极管Z2，齐纳二极管Z2的阴极与三极管Q7的集电极和NMOS管NDM2的栅极连接并连接偏置电流Ibias2，三极管Q7的基极与三极管Q5的集电极、三极管Q5的基极、三极管Q4的基极和三极管Q3的集电极连接，三极管Q3的基极与三极管Q2的基极、三极管Q2的集电极和三极管Q4的集电极连接，三极管Q3的发射极与电阻R3的一端连接，三极管Q5的发射极与电阻R4的一端和三极管Q4的发射极连接，电阻R4的另一端与三极管Q6的发射极连接，三极管Q6的集电极与PMOS管PDM4的漏极和电阻R6的一端连接并产生输出电压VLDO，三极管Q6的基极与电阻R6的另一端和电阻R5的一端连接，PMOS管PDM4的源极和PMOS管PDM3的源极连接电源VS，PMOS管PDM4的栅极与PMOS管PDM3的栅极、PMOS管PDM3的漏极和NMOS管NDM2的漏极连接，齐纳二极管Z2的阳极、三极管Q7的发射极、NMOS管NDM2的源极、电阻R3的另一端、三极管Q2的发射极和电阻R5的另一端接地； 所述启动电路包含电阻R1、电阻R2、三极管Q1、NMOS管NDM1、PMOS管PDM1、PMOS管PDM2和齐纳二极管Z1，电阻R1的一端与PMOS管PDM1的源极、PMOS管PDM2的源极连接并连接电源VS，电阻R1的另一端与三极管Q1的集电极、齐纳二极管Z1的阴极和NMOS管NDM1的栅极连接，三极管Q1的基极与NMOS管NDM1的源极和电阻R2的一端连接，NMOS管NDM1的漏极与PMOS管PDM1的漏极、PMOS管PDM1的栅极和PMOS管PDM2的栅极连接，PMOS管PDM2的漏极输出偏置电流Ibias2，三极管Q1的发射极、齐纳二极管Z1的阳极和电阻R2的另一端接地。

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