西安电子科技大学廖新芳获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种抗单粒子辐射加固的场板终端结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767766B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411943758.9，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一种抗单粒子辐射加固的场板终端结构及其制备方法是由廖新芳;刘毅;杨银堂设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗单粒子辐射加固的场板终端结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗单粒子辐射加固的场板终端结构及其制备方法，属于微电子技术领域。所述结构包括衬底，外延层，器件主结区域和载流子寿命控制区域，场氧化层，阳极，场板，设置于所述场氧化层上，阴极，其中，所述阳极与所述场板相接触；所述载流子寿命控制区域位于所述场板对应于所述外延层的区域内。本发明通过在终端区域的半导体材料上表层引入一层载流子寿命控制层即载流子寿命控制区域，可以减少运动到主结边缘处的空穴载流子的数量，从而缓解主结边缘处的电流密度和热量累积，提升场板终端结构的抗SEB能力。
本发明授权一种抗单粒子辐射加固的场板终端结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子辐射加固的场板终端结构，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，设置于所述衬底上； 器件主结区域和载流子寿命控制区域，分别设置于所述外延层的上表层的不同区域内； 场氧化层，设置于所述外延层位于所述载流子寿命控制区域上； 阳极，设置于所述器件主结区域上； 场板，设置于所述场氧化层上； 阴极，设置于所述衬底的背面； 其中，所述阳极与所述场板相接触；所述载流子寿命控制区域位于所述场板对应于所述外延层的区域内； 所述载流子寿命控制区域内的少数载流子寿命控制在1ns以下。
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