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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利集成CMOS和自对准硅锗HBT的方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411858718.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权集成CMOS和自对准硅锗HBT的方法及结构是由易孝辉;张培健;朱坤峰;钱坤;唐新悦;洪敏;幸鹏程;石松;刘健;吕相林设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成CMOS和自对准硅锗HBT的方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成CMOS和自对准硅锗HBT的方法及结构，方法包括：在硅衬底上形成多个浅槽隔离区；在CMOS有源区形成多晶硅栅、栅极氧化硅和轻掺杂区；在HBT区打开基区窗口并形成选择性离子注入区；形成SiGe基区；形成牺牲发射区；刻蚀露出SiGe基区的外侧区域的表面并形成外基区；形成发射区窗口并暴露出下方SiGe基区的SiGe表面；在发射区窗口形成硅发射区，光刻图形化发射区和外基区。本发明中，采用一种新型的牺牲发射区工艺，结合抬升外基区和发射区的自对准的方法，有效降低了工艺复杂度，并使器件工艺过程与标准CMOS和其他无源器件工艺过程兼容。

本发明授权集成CMOS和自对准硅锗HBT的方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种集成CMOS和自对准硅锗HBT的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在硅衬底上通过光刻刻蚀出多个浅沟槽，并在各浅沟槽中填充氧化物形成多个浅槽隔离区，所述多个浅槽隔离区将硅衬底上部分隔为CMOS区和HBT区，并将CMOS区分隔为CMOS有源区和衬底接触区，将HBT区分隔为集电区有源区和集电区接触区； S2、在CMOS有源区上方形成多晶硅栅，并在所述多晶硅栅表面通过氧化形成栅极氧化硅，在所述多晶硅栅两侧的CMOS有源区通过注入形成轻掺杂区； S3、在硅衬底上依次淀积第一氧化硅层和第一氮化硅层，通过光刻刻蚀第一氮化硅层和第一氧化硅层在HBT区打开基区窗口，之后剥离剩余的第一氮化硅层，并在基区窗口注入形成N+型的选择性离子注入区； S4、在硅衬底上采用非选择性方式形成外延SiGe层，其中，在单晶硅表面形成的外延SiGe层为单晶SiGe区，所述单晶SiGe区形成SiGe基区，在第一氧化硅层表面形成的外延SiGe层为多晶SiGe区； S5、在硅衬底上依次淀积第二氧化硅层和多晶硅牺牲层，并刻蚀多晶硅牺牲层在选择性离子注入区上方形成牺牲发射区； S6、淀积第二氮化硅层覆盖牺牲发射区，光刻刻蚀第二氮化硅层和第二氧化硅层露出SiGe基区的外侧区域的SiGe表面，并通过选择性外延SiGe在SiGe基区露出的SiGe表面形成P+型掺杂的外基区； S7、在硅衬底上淀积第三氧化硅层，并对第三氧化硅层进行化学机械抛光，以第二氮化硅层作为阻挡层； S8、依次刻蚀牺牲发射区上方的第二氮化硅层、牺牲发射区和牺牲发射区下方的第二氧化硅层，形成发射区窗口，暴露出发射区窗口下方SiGe基区的SiGe表面； S9、在发射区窗口形成N+型掺杂的硅发射区，光刻图形化发射区和外基区； S10、完成后续的SiGe BiCMOS工艺过程。

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