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北京遥测技术研究所孟明霞获国家专利权

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龙图腾网获悉北京遥测技术研究所申请的专利一种低副瓣波导缝隙天线设计方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119783444B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411815252.X,技术领域涉及:G06F30/23;该发明授权一种低副瓣波导缝隙天线设计方法是由孟明霞;史永康;于勇;丁克乾;丁晓磊;刘越东设计研发完成,并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低副瓣波导缝隙天线设计方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种低副瓣波导缝隙天线设计方法,首先根据天线缝隙数和目标副瓣电平得到天线理论口面场分布,其次确定缝隙电导函数,即缝隙参数与归一化电导之间的关系,然后在充分考虑阵列不同缝隙单元之间的互耦和阵列边缘效应的基础上,通过数次迭代设计,使天线口面场分布逼近理论口面场分布,方向图副瓣电平达到目标,从而实现低副瓣波导缝隙阵列天线设计。本发明的天线形式可以是波导缝隙行波阵、驻波阵等,开缝单元可以是波导宽边开缝单元,也可以是波导窄边开缝单元;本发明尤其适用于电大尺寸波导缝隙阵天线的设计,可以节约设计时间,提高设计效率;本发明还可以扩展到任意口面场分布的天线阵设计中。

本发明授权一种低副瓣波导缝隙天线设计方法在权利要求书中公布了:1.一种低副瓣波导缝隙天线设计方法,其特征在于:包括以下步骤: S1、根据波导缝隙阵天线的缝隙数N、目标副瓣电平和泰勒离散口径综合方法类别得到归一化缝隙激励并推算得到各缝隙的理想电导值和波导缝隙阵天线的理想电导分布; S2、建立导纳参数提取模型,所述导纳参数包括至少两个缝隙尺寸、缝隙间距、相邻缝隙倒向均与实际相同的缝隙,通过电纳是否为零判断缝隙是否谐振并得到缝隙在谐振状态下的归一化等效电导与缝隙参数之间的关系,对所述缝隙参数和所述归一化等效电导进行插值得到缝隙电导函数曲线; 所述缝隙参数为缝隙倾角和缝深或者缝隙偏移量和缝长; 当所述缝隙参数为缝隙倾角和缝深时,得到缝隙在谐振状态下的归一化等效电导与缝隙参数之间的关系具体方法为:固定初始缝隙倾角,使用HFSS软件的参数分析功能比较不同缝深时的等效电纳,等效电纳为零时对应的缝深h0为谐振缝深,得到在第一个缝隙倾角条件下的谐振缝深和归一化等效电导;将缝隙倾角增加指定角度,得到第二个缝隙倾角条件下的谐振缝深和归一化等效电导;将缝隙倾角继续增加指定角度,直至达到缝隙倾角上限;对得到的缝隙倾角、谐振缝深和归一化等效电导进行拟合得到所述缝隙电导函数曲线; 当所述缝隙参数为缝隙偏移量和缝长时,得到缝隙在谐振状态下的归一化等效电导与缝隙参数之间的关系具体方法为:固定初始缝隙偏移量,使用HFSS软件的参数分析功能比较不同缝长时的等效电纳,等效电纳为零时对应的缝长为谐振缝长,得到在第一个缝隙偏移量条件下的谐振缝长和归一化等效电导;将缝隙偏移量增加指定大小,得到第二个缝隙偏移量条件下的谐振缝长和归一化等效电导;将缝隙偏移量继续增加指定角度,直至达到缝隙偏移量上限;对得到的缝隙偏移量、谐振缝长和归一化等效电导进行拟合得到所述缝隙电导函数曲线; S3、根据所述理想电导分布和所述缝隙电导函数曲线得到N个缝隙的初始参数,在仿真软件HFSS中建立包含N个缝隙的波导缝隙阵模型进行仿真,根据仿真结果提取缝隙口面幅相分布,并将所述缝隙口面幅相分布与理论口面幅相分布进行对比得到仿真幅相分布与理论幅相分布之间的幅度分布差值,构造幅度分布差值与缝隙倾角或缝隙偏移量之间的关系、相位差值与缝深或缝长之间的关系,根据差值调整所述缝隙参数再进行仿真;通过数次迭代设计,直至所述幅度分布差值差值和方向图副瓣电平达到目标,一种低副瓣波导缝隙天线设计方法完成。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京遥测技术研究所,其通讯地址为:100076 北京市丰台区南大红门路1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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