北京芯力技术创新中心有限公司;清华大学杨洪文获国家专利权
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龙图腾网获悉北京芯力技术创新中心有限公司;清华大学申请的专利芯片封装结构及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119786497B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411742965.8,技术领域涉及:H01L23/538;该发明授权芯片封装结构及其制备方法、电子设备是由杨洪文;王敬;王谦设计研发完成,并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了:本申请公开了一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备,该芯片封装结构包括第一重新布线层、第一转接板、第二转接板、第二重新布线层、第一连接结构、第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片。第一重新布线层包括第一互联结构。第一转接板和第二转接板设于第一重新布线层上,且分别与第一互联结构电连接,第一转接板和第二转接板中的至少一个为有源转接板。第二重新布线层包括第二互联结构,第二重新布线层设于第一转接板和第二转接板的远离第一重新布线层的一侧,且分别与第二互联结构电连接。第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片通过多个第一连接结构与第二互联结构电连接,实现了多芯片的水平和三维集成互连,提高了集成度。
本发明授权芯片封装结构及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了:1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括: 第一重新布线层,包括第一互联结构; 第一转接板和第二转接板,设置于所述第一重新布线层上,且分别与所述第一互联结构电连接,所述第一转接板和所述第二转接板均为包括用于形成满足设计要求的功能电路的有源器件的有源转接板; 第二重新布线层,包括第二互联结构,所述第二重新布线层设置于所述第一转接板的远离所述第一重新布线层的一侧,且设置于所述第二转接板的远离所述第一重新布线层的一侧,所述第一转接板和所述第二转接板分别与所述第二互联结构电连接; 多个第一连接结构,所述多个第一连接结构的一端与所述第二互联结构电连接; 第一芯片、第二芯片、第三芯片以及第四芯片,所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片和所述第四芯片分别与所述多个第一连接结构的另一端电连接,其中,所述芯片封装结构还包括多个第二连接结构,所述多个第二连接结构的一端与所述第一互联结构电连接,另一端与所述第二互联结构电连接,所述第一芯片为中央处理器芯片,所述第二芯片为动态随机存取存储器芯片,所述第三芯片为图形处理器芯片,所述第四芯片为高带宽存储器芯片,沿平行于所述第一重新布线层的底面的方向,所述第一转接板与所述第二转接板平铺设置,沿平行于所述第一重新布线层的底面的方向,所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片以及所述第四芯片平铺设置,所述芯片封装结构还包括第一封装层和第二封装层,所述第一封装层包裹所述第一转接板和所述第二转接板,所述第二封装层包裹所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片和所述第四芯片,其中,所述第一封装层暴露出所述第一转接板的远离载板的表面,且暴露出所述第二转接板的远离载板的表面,并且暴露出所述第二连接结构。
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