西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学刘志宏获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种多沟槽金刚石场效应晶体管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411623428.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种多沟槽金刚石场效应晶体管结构及其制备方法是由刘志宏;李晓燕;邢伟川;侯松岩;周瑾;刘先河;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多沟槽金刚石场效应晶体管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，且公开了一种多沟槽金刚石场效应晶体管结构及其制备方法，包括金刚石衬底，终端表面位于金刚石衬底表面，由若干个沟槽的侧面、底面和鳍型台面顶面连接形成，P+金刚石层分别位于金刚石终端表面的两端，源电极位于终端表面的一侧的P+金刚石层之上，漏电极位于终端表面的源电极相对的另一端的的P+金刚石层之上，栅介质覆盖在源电极和漏电极中间的终端表面上，栅电极位于栅介质上，且位于源电极和漏电极的之间，在同一水平侧向尺寸下增大了表面二维空穴气的密度，提高了金刚石晶体管的电流密度，降低了金刚石晶体管的导通电阻，也提高了栅电极对二维空穴气沟道的栅控能力，减少了金刚石晶体管的关态电流和功耗。
本发明授权一种多沟槽金刚石场效应晶体管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多沟槽金刚石场效应晶体管结构，包括金刚石衬底1，其特征在于：终端表面2位于金刚石衬底1表面，且由若干个沟槽的侧面、底面和鳍型台面的顶面连接形成，其中形成二维空穴气2DHG； P+金刚石层3，分别位于终端表面2的两端； 源电极4，位于终端表面2一端的P+金刚石层3之上； 漏电极5，位于终端表面2的源电极4相对的另一端的P+金刚石层3之上； 栅介质6，位于源电极4和漏电极5中间的终端表面2上，并且覆盖住终端表面2沟槽的底面和侧面； 栅电极7位于栅介质6上，并位于源电极4和漏电极5之间，栅电极7部分沉积于沟槽底部，若干沟槽形状为矩形、V形和倒梯形中的任意一种，若干个沟槽的深度为50‑200nm； 终端表面2为氢终端或硅终端。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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