上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司余洋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利机台水平向栅格校准方法、装置、套刻机和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311314883.9，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权机台水平向栅格校准方法、装置、套刻机和存储介质是由余洋;张鑫磊;袁伟;施超;陈鹏设计研发完成，并于2023-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本机台水平向栅格校准方法、装置、套刻机和存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及机台栅格校准领域，公开了机台水平向栅格校准方法、装置、套刻机和存储介质，方法应用于套刻机，包括获得机台利用水平向栅格校准掩模版进行曝光形成的单独的场图案；水平向栅格校准掩模版包括多个套刻标记；获得机台利用水平向栅格校准掩模版进行多次曝光形成的组合场图案，组合场图案包括多个套刻标记组；根据场图案中套刻标记的实际位置与水平向栅格校准掩模版上对应套刻标记的名义位置的误差值，确定机台量测端的第一栅格误差；确定位于组合场图案中套刻标记组中内套刻标记与外套刻标记间的套刻差值，得到曝光端的第二栅格误差；将第一栅格误差和第二栅格误差发送至机台，实现水平向栅格校准，不占用机台机时。
本发明授权机台水平向栅格校准方法、装置、套刻机和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种机台水平向栅格校准方法，其特征在于，应用于套刻机，包括： 获得机台利用水平向栅格校准掩模版进行曝光形成的单独的场图案；所述水平向栅格校准掩模版包括多个套刻标记； 获得所述机台利用所述水平向栅格校准掩模版进行多次曝光形成的组合场图案，所述组合场图案包括多个套刻标记组；每个所述套刻标记组包括内套刻标记和外套刻标记，所述内套刻标记和所述外套刻标记由不同的所述场图案中所述套刻标记形成； 根据所述场图案中的套刻标记的实际位置与所述水平向栅格校准掩模版上对应所述套刻标记的名义位置之间的误差值，确定所述机台的量测端的第一栅格误差； 确定位于所述组合场图案中每个所述套刻标记组中的所述内套刻标记与所述外套刻标记之间的套刻差值，得到所述机台的曝光端的第二栅格误差； 将所述第一栅格误差和所述第二栅格误差发送至所述机台，以使所述机台实现水平向栅格校准。
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