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龙图腾网获悉北京环境特性研究所申请的专利等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119808479B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411873602.8，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置是由孙金海设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及光学领域，特别涉及一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置。本发明首先通过等离子体覆盖平板的几何参数构建二维模型，并将对应的材料属性赋予至二维模型，得到物理模型，并将等离子体特征参量带入到物理模型的等离子体区，得到等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型，以用于模拟等离子体覆盖平板太赫兹波传输的状况，再利用等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型进行仿真模拟计算，得到经过等离子体覆盖平板的太赫兹波电场分布，再通过入射端口和出射端口的太赫兹波电场间接确定经过等离子体覆盖平板的太赫兹波传输特性，与现有技术相比，本发明能够帮助研究人员快速了解经过等离子体覆盖平板后太赫兹波的传输特性。

本发明授权等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法，其特征在于，包括： 获取等离子体覆盖平板的几何参数和等离子体的特征参量；其中，所述特征参量包括等离子体的电子密度和碰撞频率； 基于所述几何参数，确定所述等离子体覆盖平板的二维模型，并将对应的材料属性赋予至所述二维模型，得到物理模型；其中，所述物理模型包括等离子体区、自由空间区和平板材料区，所述自由空间区、所述等离子体区和所述平板材料区依次相连，所述自由空间区为太赫兹波的入口区和反射出口区，所述平板材料区为太赫兹波的透射出口区； 将所述特征参量带入到所述等离子体区，得到等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型； 利用所述等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型进行有限元仿真模拟计算，得到经过等离子体覆盖平板后的太赫兹波电场分布；其中，所述电场分布包括入射端口的不同方向的电场和出射端口的电场； 基于所述入射端口的不同方向的电场和所述出射端口的电场，确定所述等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性； 基于入射端口与出射端口同方向的电场比较得到太赫兹波的透射特性，基于入射端口不同方向的电场比较得到太赫兹波的反射特性； 基于将二维模型的左右两边设定为周期性边界，延展等离子体层和平板层横向上为无限长； 基于设置太赫兹波以不同的入射角入射到等离子体覆盖的平板上，得到太赫兹波以不同角度入射等离子体覆盖平板时的斜入射反射特性和透射特性。

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