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光本位科技(苏州)有限公司李左玺获国家专利权

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龙图腾网获悉光本位科技(苏州)有限公司申请的专利一种校正单元及基于片上校正的光计算芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119846861B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510067471.2,技术领域涉及:G02F1/025;该发明授权一种校正单元及基于片上校正的光计算芯片是由李左玺;蒲华楠;程唐盛设计研发完成,并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

一种校正单元及基于片上校正的光计算芯片在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种校正单元及基于片上校正的光计算芯片,校正单元包括:第一波导;所述第一波导的外侧包裹包层;所述第一波导上设置有掺杂区域,其内掺杂有稀土元素;所述包层的第一表面连接有第三波导,且所述第三波导内距离所述第一表面的第一高度Y1的位置设置有第二高度Y2的第一反射层;所述包层的第二表面上设置有放大部,所述放大部具有凸形的表面。本发明实际上提出了一种具有局部聚集效应的局部校正单元,这种局部校正单元尤其适用于计算芯片中的信号校正场景,其既能够减小校正相关器件在生产加工过程中的制备难度,同时能够降低生产成本。

本发明授权一种校正单元及基于片上校正的光计算芯片在权利要求书中公布了:1.一种校正单元,其特征在于,包括: 第一波导1; 所述第一波导1的外侧包裹至少一层包层2; 所述第一波导上设置有掺杂区域5,所述掺杂区域贯穿所述第一波导且与至少部分的所述包层相交叉,且所述掺杂区域内掺杂有至少一种激发元素; 所述包层的第一表面连接有第三波导4,且所述第三波导内距离所述第一表面的第一高度Y1的位置设置有具有第二高度Y2的第一反射层3; 所述包层的与第一表面相对的第二表面上设置有放大部21,所述放大部21具有凸形的表面,其中,当至少一束调节光源沿第一方向入射至所述放大部21时,至少一束所述调节光源在所述放大部21中被聚焦; 其中,当至少一束所述调节光源在所述放大部的引导下射入所述掺杂区域5,并穿透所述掺杂区域5折射进入所述第三波导,且当所述调节光源到达所述第一反射层3的第一反射表面时,所述调节光源将在所述第一反射表面上进行反射,且所产生的至少一束反射光源能够重新射入所述掺杂区域; 其中,所述激发元素能够吸收对应的所述光源的能量,以使其内部的电子从低能级跃迁至高能级,进而完成能量的存储;当第一光信号通过所述第一波导传输至所述掺杂区域时,跃迁至高能级的所述电子在所述第一光信号的刺激下,发生受激辐射,释放出与所述第一光信号相同频率、相位和偏振态的光子,且所述光子与所述第一光信号相叠加以形成第二光信号,所述第二光信号的功率大于所述第一光信号的功率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人光本位科技(苏州)有限公司,其通讯地址为:215004 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋215、217室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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