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龙图腾网获悉中国空间技术研究院申请的专利一种双极型带隙基准电路单粒子效应自动化仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119849404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411821384.3，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种双极型带隙基准电路单粒子效应自动化仿真方法是由魏志超;王博;梅博;孙毅;吕贺;张海明;张延伟;张洪伟;孙明设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双极型带隙基准电路单粒子效应自动化仿真方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双极型带隙基准电路单粒子效应自动化仿真方法，包括：S1，对电路网表文件进行分析，提取出晶体管名称和节点信息；S2，对电路进行直流特性仿真，得到各晶体管的直流工作点，并确定各晶体管的类型；S3，建立晶体管模型，进行管级单粒子效应仿真，得到晶体管级单粒子效应仿真结果；S4，建立瞬态脉冲波形数据库、峰值数据库；S5，筛选得到敏感晶体管；S6，选取一个敏感晶体管，提取得到其对应的瞬态脉冲数据；S7，对电路网表文件进行修改，并进行电路级单粒子瞬态特性仿真，得到瞬态特性仿真结果数据；S8，重复上述步骤S6～S7，得到全部敏感晶体管对应的瞬态特性仿真结果数据。本发明实现了模拟类器件效应薄弱环节定位。

本发明授权一种双极型带隙基准电路单粒子效应自动化仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种双极型带隙基准电路单粒子效应自动化仿真方法，其特征在于，包括： S1，对于确定的带隙基准电路，对电路网表文件进行分析，提取出带隙基准电路中的晶体管名称和节点信息； S2，根据提取出的带隙基准电路中的晶体管名称和节点信息，对带隙基准电路进行直流特性仿真，得到带隙基准电路中各晶体管的直流工作点，并确定各晶体管的类型； S3，根据确定的带隙基准电路所采用的晶体管的类型，建立晶体管模型，并进行管级单粒子效应仿真，得到晶体管级单粒子效应仿真结果； S4，根据晶体管级单粒子效应仿真结果，建立瞬态脉冲波形数据库、峰值数据库； S5，基于峰值数据库，筛选得到确定带隙基准电路中的敏感晶体管； S6，选取其中一个敏感晶体管，基于瞬态脉冲波形数据库，提取得到所述其中一个敏感晶体管对应的瞬态脉冲数据； S7，基于提取得到的所述其中一个敏感晶体管对应的瞬态脉冲数据，对电路网表文件进行修改，并进行电路级单粒子瞬态特性仿真，得到所述其中一个敏感晶体管对应的瞬态特性仿真结果数据； S8，重复上述步骤S6～S7，得到全部敏感晶体管对应的瞬态特性仿真结果数据。

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