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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855165B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311349143.9，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器是由张家瑞设计研发完成，并于2023-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器，存储芯片包括m个通道，m个通道沿第一方向依次排列且关于芯片轴线对称；每一通道均具有通道信号区域，每一通道信号区域均被划分为呈阵列分布的2×2个通孔区，m个通道信号区域的面积相同，且m个通道信号区域中导电通孔组的分布位置均相同。

本发明授权一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片，其特征在于，所述存储芯片包括m个通道，m个所述通道沿第一方向依次排列，所述存储芯片具有沿第二方向延伸的且穿过所述存储芯片的中心的芯片轴线，m个所述通道关于所述芯片轴线对称；每一所述通道均包括沿第二方向依次分布的第一存储阵列区域、通道信号区域和第二存储阵列区域，且每一所述通道信号区域的中心与所属通道的中心重合，m为正整数；所述第一方向垂直于所述第二方向； 每一所述通道信号区域具有第一轴线和第二轴线，所述第一轴线沿所述第一方向或者所述第二方向延伸，所述第二轴线和所述第一轴线互相垂直且相交于所属通道信号区域的中心；每一所述通道信号区域均被划分为呈阵列分布的2×2个通孔区，第一通孔区和第二通孔区沿所属通道信号区域的第一轴线对称，第三通孔区和第四通孔区沿所属通道信号区域的第一轴线对称，所述第一通孔区和所述第四通孔区沿所属通道信号区域的第二轴线对称； 每一所述通孔区均包括n个导电通孔组，n个所述导电通孔组沿垂直于所述存储芯片的有源面的方向贯穿所述存储芯片的衬底，n为自然数；m个所述通道信号区域的面积相同，且m个所述通道信号区域中所述导电通孔组的分布位置均相同； 在同一所述通道信号区域中，所述第一通孔区的n个导电通孔组和所述第二通孔区的n个导电通孔组关于所属通道信号区域的第一轴线对称，第三通孔区的n个导电通孔组和第四通孔区的n个导电通孔组关于所属通道信号区域的第一轴线对称，所述第一通孔区的n个导电通孔组和所述第四通孔区的n个导电通孔组关于所属通道信号区域的第二轴线对称。

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