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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311351292.9，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件是由陈崧;孙旭昊;周洛禾设计研发完成，并于2023-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件在说明书摘要公布了：本发明属于电致发光器件领域，具体涉及一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件。本发明通过配体交换技术对氧化物纳米颗粒进行长链配体包覆，使其表面由亲水属性转变为亲油属性，使该氧化物纳米颗粒可通过溶液涂布法在有机物或氧化物基底成膜，并可通过纳米压印、转印工艺实现高质量图案化。本发明可以解决传统阻挡层由于拾取率低、阻挡层自发光和难以与发光量子点溶液浸润等原因难以克服的漏电流和像元间串扰问题。本发明通过对纳米压印过程中的剥离速率及压力精确控制，可以有效提高阻挡层图案的完整度及调控膜厚。

本发明授权一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件在权利要求书中公布了：1.一种带有图案化阻隔层结构的量子点发光二极管器件，其特征在于，包括依次设置的器件阳极、空穴注入层、空穴传输层、复合层、电子传输层和器件阴极； 所述复合层由图案化的阻挡层和发光层组成；所述发光层以像元阵列的形式填充于所述阻挡层的图案空隙中； 所述发光层的材料选自II‑VI量子材料、III‑V量子材料、钙钛矿半导体材料和单质量子点材料中的一种或多种； 所述阻挡层由阻挡材料转印得到，所述阻挡材料由固相改性或配体交换的方法制备得到； 所述固相改性的方法为将含有氧化物的异丙醇分散液涂覆于反应硅片上，加入全氟三甲氧基硅烷浸泡20‑40 s后干燥；所述配体交换的方法为将含有氧化物的异丙醇分散液和配体混合5‑7 h后分离，将分离得到的沉淀分散于正己烷后涂覆于反应硅片上；所述氧化物选自无机非金属氧化物和金属氧化物；所述无机非金属氧化物为SiO2纳米颗粒，所述金属氧化物为纳米颗粒，选自HfO2、Al2O3、Ta2O5或ZrO2；所述配体选自油酸、油胺、硅烷和十八硫醇中的一种或多种； 所述反应硅片是于保护气氛下，将硅片和烷基硅烷置于己烷中，反应1‑2 h后于110‑130℃烘烤15‑25 min得到。

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