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龙图腾网获悉松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所申请的专利一种硒辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920682B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510030185.9，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种硒辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体薄膜的方法是由张广宇;张兴超;王硕培;李娜设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硒辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硒辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体薄膜的方法，属于半导体技术领域。所述方法包括如下步骤：在含有生长衬底的二维半导体薄膜晶圆上依次制备Se纳米层、支撑层和水溶性胶层；利用水溶性胶层将二维半导体薄膜、Se纳米层和支撑层一起从生长衬底上剥离，然后以二维半导体薄膜作为贴合面贴合到目标衬底上；接着在水中浸泡去除水溶性胶层；之后通过反应离子刻蚀去除支撑层，最后在惰性气体氛围中退火处理以去除Se纳米层，从而在目标衬底上获得二维半导体薄膜，完成二维半导体薄膜从生长衬底转移至目标衬底。本发明可有效实现晶圆尺寸二维半导体薄膜的无褶皱、无残留、无污染的高质量完整清洁转移。

本发明授权一种硒辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种硒辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供含有生长衬底的晶圆尺寸的二维半导体薄膜，记为二维半导体薄膜生长衬底； 在所述二维半导体薄膜生长衬底的二维半导体薄膜上依次制备Se纳米层、支撑层和水溶性胶层，得到水溶性胶层支撑层Se纳米层二维半导体薄膜生长衬底； 利用水溶性胶层将水溶性胶层支撑层Se纳米层二维半导体薄膜从生长衬底上剥离，得到水溶性胶层支撑层Se纳米层二维半导体薄膜； 将所述水溶性胶层支撑层Se纳米层二维半导体薄膜以二维半导体薄膜作为贴合面贴合到目标衬底上，得到水溶性胶层支撑层Se纳米层二维半导体薄膜目标衬底； 将所述水溶性胶层支撑层Se纳米层二维半导体薄膜目标衬底放置在水中浸泡，以去除水溶性胶层，得到支撑层Se纳米层二维半导体薄膜目标衬底； 通过反应离子刻蚀去除支撑层Se纳米层二维半导体薄膜目标衬底中的支撑层，得到Se纳米层二维半导体薄膜目标衬底； 将所述Se纳米层二维半导体薄膜目标衬底在惰性气体氛围中退火处理，使Se纳米层完全热蒸发，得到二维半导体薄膜目标衬底，完成二维半导体薄膜从生长衬底转移至目标衬底。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所，其通讯地址为：523830 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。