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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种电流源驱动电路及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119921544B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510078023.2，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种电流源驱动电路及控制方法是由彭晗;陈新波设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电流源驱动电路及控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电流源驱动电路及控制方法，属于电力电子领域。该电流源驱动电路包括：充电电流源驱动电路、放电电流源驱动电路、充电电流源控制电压调控电路和放电电流源控制电压调控电路；充电电流源驱动电路采用P‑MOS管M1，源极与正电源VCC连接；放电电流源驱动电路采用N‑MOS管M2，源极与负电源VEE连接；M1和M2的漏极与被驱动功率器件T1的栅极G连接，栅极与对应的电压调控电路的输出端连接；在T1开关暂态过程中，控制电压调控电路的输出电压vctrl1、vctrl2控制M1、M2工作于饱和区，并动态调控其输出的开通、关断驱动电流；在T1开关暂态结束后，vctrl1、vctrl2控制M1、M2工作于可变电阻区，将T1栅‑源电压钳位于VCC、VEE。整体电路结构简单，驱动电流调节速度快。

本发明授权一种电流源驱动电路及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种电流源驱动电路，被驱动功率器件T1为SiC MOS，包括栅极G、漏极D、源极S及开尔文源极KS；其特征在于，所述电流源驱动电路包括：充电电流源驱动电路、放电电流源驱动电路、充电电流源控制电压调控电路和放电电流源控制电压调控电路； 所述充电电流源驱动电路采用P‑MOS管M1，所述P‑MOS管M1的源极与正电源VCC连接，漏极与被驱动功率器件T1的栅极G端连接，栅极与充电电流源控制电压调控电路的输出端连接； 所述充电电流源驱动电路用于提供被驱动功率器件T1开通暂态过程所需驱动电流及T1开通稳态的栅‑源偏置电压VCC； 所述放电电流源驱动电路采用N‑MOS管M2，所述N‑MOS管M2的源极与负电源VEE连接，漏极与被驱动功率器件T1的栅极G端连接，栅极与放电电流源控制电压调控电路的输出端连接； 所述放电电流源驱动电路用于提供被驱动功率器件T1关断暂态过程所需驱动电流及T1关断稳态的栅‑源偏置电压VEE； 所述充电电流源控制电压调控电路的输出电压vctrl1，用于调控所述P‑MOS管M1的栅‑源极电压vGS1，使其在被驱动功率器件T1开通暂态过程中控制P‑MOS管M1工作于饱和区，以动态调控M1输出的开通驱动电流；并使其在被驱动功率器件T1开通稳态中控制P‑MOS管M1工作于可变电阻区，以使被驱动功率器件T1的栅‑源电压钳位于开通稳态偏置电压VCC； 所述放电电流源控制电压调控电路的输出电压vctrl2，用于调控所述N‑MOS管M2的栅‑源极电压vGS2，使其在被驱动功率器件T1关断暂态过程中控制N‑MOS管M2工作于饱和区，以动态调控M2输出的关断驱动电流；并使其在被驱动功率器件T1关断稳态中控制N‑MOS管M2工作于可变电阻区，以使被驱动功率器件T1的栅‑源电压钳位于关断稳态偏置电压VEE。

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