长鑫科技集团股份有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储单元、半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311378402.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元、半导体结构及其制作方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种存储单元、半导体结构及其制作方法，其中，存储单元包括：写入字线，写入字线分为沿第一方向间隔排布的第一区及第二区；第一半导体层，第一半导体层与写入字线的第二区的表面正对；写入位线，写入位线与第一半导体层接触连接；导电层，导电层与第一半导体层接触连接，且导电层与写入位线沿第一方向间隔排布；读取字线，读取字线与写入字线的第一区接触连接，与导电层沿第一方向间隔排布，且读取字线位于导电层沿第一方向远离写入位线的一侧；第二半导体层，第二半导体层的一端与写入位线接触连接，另一端与读取字线接触连接，且还与导电层的部分表面正对。可以提高存储单元的集成密度。
本发明授权存储单元、半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 写入字线，所述写入字线沿第一方向延伸，且所述写入字线分为沿所述第一方向间隔排布的第一区及第二区； 第一半导体层，所述第一半导体层与所述写入字线的所述第二区的表面正对； 写入位线，所述写入位线与所述第一半导体层接触连接； 导电层，所述导电层与所述第一半导体层接触连接，且所述导电层与所述写入位线沿所述第一方向间隔排布，第一晶体管包括所述写入字线、所述第一半导体层、所述写入位线及所述导电层； 读取字线，所述读取字线与所述写入字线的所述第一区接触连接，与所述导电层沿所述第一方向间隔排布，且所述读取字线位于所述导电层沿所述第一方向远离所述写入位线的一侧； 第二半导体层，所述第二半导体层的一端与所述写入位线接触连接，另一端与所述读取字线接触连接，且还与所述导电层的部分表面正对，第二晶体管包括：所述导电层、所述读取字线及所述第二半导体层。
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