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龙图腾网获悉安徽师范大学申请的专利一种抗生素抗性基因光电检测传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119959324B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510101036.7，技术领域涉及：G01N27/327；该发明授权一种抗生素抗性基因光电检测传感器及其制备方法和应用是由王广凤;乔若楠;班银博设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗生素抗性基因光电检测传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抗生素抗性基因光电检测传感器及其制备方法和应用，本发明设计了由Bi2S3ZnIn2S4异质结作为光电材料，结合适配体固定电子供体的方法，构建了用于检测抗性基因的生物传感系统。该系统由催化发夹自组装和DNAzyme的裂解两部分组成。与现有技术相比，本发明可以通过适配体来固定电子供体，并且通过催化发夹自组装的方法，对目标物进行循环放大，利用核酸之间的识别作用即可实现对于CTX‑M‑15的定量检测，其操作简单，灵敏度高。

本发明授权一种抗生素抗性基因光电检测传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种抗生素抗性基因光电检测传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 1将Bi2S3ZnIn2S4材料进行氨基化后，分散在水中制备成溶液，滴加在ITO电极，制备BZITO电极； 2将发夹DNA HP置于含有N‑3‑二甲基氨基丙基‑N′‑乙基碳二亚胺盐酸盐和N‑羟基琥珀酰亚胺的混合溶液中活化，随后，将所得溶液滴到BZITO电极上并孵育，得到HPBZITO电极； 3将系列不同浓度的抗生素抗性基因加入DNA H1、DNA H2和DNA H3的混合物中，反应； 随后，将所得混合物滴到HPBZITO电极上，反应； 4将含有多巴胺DA 20mM 0.1mL 的缓冲液和Split‑2溶液与步骤3制备的电极反应； 制备得到DAAptDABZITO电极； 5在氙灯照射下，DAAptDABZITO电极在Tris‑HCl溶液中进行光电化学检测，构建电极的PEC信号强度与抗生素抗性基因浓度的线性关系，进而实现对抗生素抗性基因的定量检测； 步骤2中，所述发夹DNA HP的基因序列如SEQ ID NO. 1所示； 步骤3中，所述DNA H1的基因序列如SEQ ID NO.2所示；所述DNA H2的基因序列如SEQ ID NO.3所示；所述DNA H3的基因序列如SEQ ID NO.4所示；所述抗生素抗性基因为CTX‑M‑15； Split‑1的基因序列如SEQ ID NO.5所示； Split‑2的基因序列为:如SEQ ID NO.6所示； 所述发夹DNA HP、DNA H1、DNA H2、DNA H3、Split‑1和Split‑2均在退火缓冲液中稀释后再使用；所述退火缓冲液的组成为150 mM NaCl、10 mM Tris、10 mM MgCl2·6H2O，pH=7.4。

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