长鑫科技集团股份有限公司司书芳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利芯片结构和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997516B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311520808.8，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权芯片结构和存储器是由司书芳设计研发完成，并于2023-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片结构和存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种芯片结构和存储器。其中，芯片结构包括：堆叠的第一芯片和第二芯片。第一芯片包括：沿第一方向排布的多个存储阵列组；每个存储阵列组包括：沿第二方向排布的N个存储阵列部。第二芯片包括：多个第一感测放大器和多个第二感测放大器。其中，每个存储阵列组中，相邻的两个存储阵列部，电连接对应的一个第一感测放大器；相邻的两个第一感测放大器，电连接同一个存储阵列部。相邻的两个存储阵列组中的第1个存储阵列部，电连接对应的一个第二感测放大器；相邻的两个存储阵列组中的第N个存储阵列部，电连接对应的另一个第二感测放大器；电连接至不同的第二感测放大器的存储阵列部互不相同。
本发明授权芯片结构和存储器在权利要求书中公布了：1.一种芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：堆叠的第一芯片和第二芯片； 所述第一芯片包括：沿第一方向排布的多个存储阵列组；每个所述存储阵列组包括：沿第二方向排布的N个存储阵列部；所述第一方向垂直于所述第二方向； 所述第二芯片包括：多个第一感测放大器和多个第二感测放大器； 其中，每个所述存储阵列组中，相邻的两个所述存储阵列部，电连接对应的一个所述第一感测放大器；相邻的两个所述第一感测放大器，电连接同一个所述存储阵列部； 相邻的两个所述存储阵列组中的第1个所述存储阵列部，电连接对应的一个所述第二感测放大器；相邻的两个所述存储阵列组中的第N个所述存储阵列部，电连接对应的另一个所述第二感测放大器；电连接至不同的所述第二感测放大器的所述存储阵列部互不相同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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