华南理工大学喻婷婷获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种芯片薄膜均匀旋转沉积装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120006262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510183986.9，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权一种芯片薄膜均匀旋转沉积装置及方法是由喻婷婷;黄文扬;高欣雯;张宇洋;曾繁鹏设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片薄膜均匀旋转沉积装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片镀膜技术领域，公开一种芯片薄膜均匀旋转沉积装置及方法，包括沉积室；U型座，U型座转动安装在沉积室内部，U型座外壁安装有第一驱动组件；转向轴，转向轴转动安装在U型座内壁，其中一侧的转向轴贯穿U型座侧壁与第一驱动组件相连接，第一驱动组件用于驱动转向轴转动；矩形槽，矩形槽与转向轴另一端固定连接，矩形槽内安装有第二驱动组件；两单模座，两单模座位于U型座内，两单模座与第二驱动组件滑动连接，第二驱动组件用于驱动单模座上下滑动。通过设置U型座和单模座，并使得单模座随U型座转动，能够使单模座上的芯片与反应气体充分接触，对芯片薄膜进行均匀沉积。
本发明授权一种芯片薄膜均匀旋转沉积装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片薄膜均匀旋转沉积装置，其特征在于，包括： 沉积室1； U型座5，所述U型座5转动安装在所述沉积室1内部，所述U型座5外壁安装有第一驱动组件； 两转向轴7，两所述转向轴7转动安装在所述U型座5相对的内壁上，其中一侧的所述转向轴7贯穿所述U型座5的侧壁与所述第一驱动组件相连接，所述第一驱动组件用于驱动所述转向轴7转动； 两矩形槽8，两所述矩形槽8设置在两所述转向轴7之间，两所述矩形槽8相互远离的一端与两所述转向轴7相对的一端固定连接，所述矩形槽8内安装有第二驱动组件； 两单模座14，两所述单模座14位于所述U型座5内，两所述单模座14与所述第二驱动组件滑动连接，所述第二驱动组件用于驱动所述单模座14上下滑动。
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