广东工业大学张昱获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120033092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510092701.0，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法是由张昱;翁铭;李宇涛;韦东业;王建晨;黄光汉;杨冠南;崔成强设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法在说明书摘要公布了：一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法，包括以下步骤：S1、将待键合的芯片表面清洗后进行预处理准备进行键合；S2、识别待键合表面上的铜凸块的表面缺陷和位置信息；S3、将电火花烧蚀装置制备的细径纳米铜颗粒打印到铜凸块表面修复碟形缺陷实现铜凸块的表面平整化并形成一层纳米铜薄膜辅助低温键合；S4、将打印后的芯片用键合机进行对准配合接触后进行微加热实现混合键合的预键合；S5、通入惰性保护气体加热进行低温混合键合。本发明的目的在于提出一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法，解决目前主流混合键合中铜凸块容易出现缺陷键合效果不好和键合温度高的问题。
本发明授权一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法在权利要求书中公布了：1.一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将待键合的芯片表面清洗后进行预处理准备进行键合； S2、识别待键合表面上的铜凸块的表面缺陷和位置信息； S3、将电火花烧蚀装置制备的细径纳米铜颗粒打印到铜凸块表面修复碟形缺陷实现铜凸块的表面平整化并形成一层纳米铜薄膜辅助低温键合； S4、将打印后的芯片用键合机进行对准配合接触后进行微加热实现混合键合的预键合； S5、通入惰性保护气体加热进行低温混合键合； 所述的修复碟形缺陷的方法为通过打印修复装置中光学检测机构识别铜凸块表面的凹陷缺陷形貌信息和位置信息，然后通过打印装置的喷嘴打印技术将电火花装置制备的纳米铜颗粒精确打印到缺陷处填补将铜凸块平整化实现修复缺陷并且形成一层纳米铜薄膜辅助实现低温烧结。
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