浙江大学唐龙华获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种具有隧穿效应的非连续金属薄膜、隧穿电极芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120249913B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510743146.3，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种具有隧穿效应的非连续金属薄膜、隧穿电极芯片及其制备方法是由唐龙华;耿文慧;田野;伊隆设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有隧穿效应的非连续金属薄膜、隧穿电极芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有隧穿效应的非连续金属薄膜、隧穿电极芯片及其制备方法。通过磁控溅射沉积法在玻璃基底上原位生长大面积均匀化非连续金属薄膜，构筑了具有随机纳米阵列的电荷隧穿结构。所述非连续金属薄膜包括基底和设于基底上的纳米间隙薄膜，纳米间隙薄膜包含随机性分布的若干个纳米岛和若干个纳米间隙，任意两个相邻纳米岛之间形成纳米间隙，纳米间隙10nm；纳米间隙薄膜的厚度100nm。该隧穿电极芯片通过高精度薄膜沉积实现原子级厚度控制，显著提升多批次器件的均一性，良品率较传统方法提升50%以上，突破了传统隧穿器件面临的微纳加工的昂贵成本限制，具备针对不同小分子介质的灵敏响应能力，能够将分子信息以瞬态电导信息呈现出来。
本发明授权一种具有隧穿效应的非连续金属薄膜、隧穿电极芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有隧穿效应的非连续金属薄膜的制备方法，其特征在于，所述非连续金属薄膜包括基底，还包括设于所述基底上的纳米间隙薄膜；所述纳米间隙薄膜包含随机性分布的纳米岛，任意两个相邻纳米岛之间形成纳米间隙；所述纳米间隙薄膜和基底之间设有粘附层；所述粘附层的材质为铬； 所述制备方法包括以下步骤： 1通过磁控溅射沉积设备在基底表面沉积一层约1nm厚的Cr层作为粘附层； 2采用磁控溅射沉积设备在粘附层上原位沉积纳米间隙薄膜； 磁控溅射方法中，沉积时间为20 s，得到所述非连续金属薄膜； 所述方法制备的非连续金属薄膜的良品率达到30%； 所述良品率的检测方法：具有非线性IV曲线判断为能够产生隧穿效应，且薄膜厚度小于100nm、纳米间隙3‑10nm、纳米间隙覆盖率为21.64~46.45%，电导率0.1‑1000nS、透过率66.33‑70.25%，则判断为良品。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励