长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司李宗翰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120282450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510771949.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由李宗翰;赵昭设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括基底，以及位于基底上的有源柱、字线和位线，多个有源柱沿第二方向和第三方向阵列设置，多条字线沿第三方向阵列设置，每条字线沿第二方向延伸，多条位线沿第二方向阵列设置，每条位线沿第三方向延伸。字线与有源柱的垂直沟道的接触区域的至少部分接触面与第二方向不平行，从而形成非完全耗尽型沟道，有利于解决阈值电压不稳定的问题。另外，当字线和位线都部分包围有源柱时，能够增加相邻字线以及相邻位线之间的距离，有利于降低耦合效应。
本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 多个有源柱，设置于所述基底，每个所述有源柱沿第一方向延伸，多个所述有源柱沿第二方向和第三方向阵列设置，所述有源柱包括垂直沟道，所述第二方向与所述第三方向之间具有预设夹角，且均与所述第一方向垂直； 多条字线，在所述第三方向上阵列设置，每条所述字线沿所述第二方向延伸，每条所述字线连接沿所述第二方向阵列排布的多个所述有源柱，所述字线与所述有源柱的垂直沟道的接触区域的至少部分接触面与所述第二方向不平行； 多条位线，在所述第二方向上阵列设置，每条所述位线沿所述第三方向延伸，每条所述位线连接沿所述第三方向阵列排布的多个所述有源柱，所述位线与所述有源柱的第一端部的接触区域的至少部分接触面与所述第三方向不平行； 对于每个所述有源柱，沿所述第一方向，所述有源柱上的所述位线和所述字线间隔设置； 所述有源柱的垂直沟道与所述字线的接触区域形成非完全耗尽型沟道。
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