湘潭大学王金斌获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种带有肖特基漂浮电极的小像素阵列探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510820654.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种带有肖特基漂浮电极的小像素阵列探测器是由王金斌;谭泽文;戴伟;钟向丽;宋宏甲;伏钊设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有肖特基漂浮电极的小像素阵列探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带有肖特基漂浮电极的小像素阵列探测器，涉及半导体器件技术领域，包括探测器主体，探测器主体顶面设有阳极和漂浮电极，探测器主体底面设有阴极；其中，阳极为阵列像素电极；漂浮电极包括边缘栅格、公共栅格和保护环，边缘栅格位于阵列像素电极周围，保护环位于阵列的每个像素电极周围，公共栅格位于每个保护环之间。本发明提出的一种带有肖特基漂浮电极的小像素阵列探测器可以有效阻止载流子被除阳极像素电极以外的金属电极收集，减少电荷损失；且不同于以往的保护环电极结构，该肖特基漂浮电极结构无需加压便可形成表面横向电场，减少了载流子的注入，促进电子朝阳极像素电极漂移，提高了电荷收集效率。
本发明授权一种带有肖特基漂浮电极的小像素阵列探测器在权利要求书中公布了：1.一种带有肖特基漂浮电极的小像素阵列探测器，其特征在于，包括探测器主体，所述探测器主体顶面设有阳极和漂浮电极，所述探测器主体底面设有阴极； 其中，所述阳极为阵列像素电极； 所述漂浮电极包括边缘栅格、公共栅格和保护环，形成肖特基接触，所述边缘栅格位于所述阵列像素电极周围，所述保护环位于阵列的每个像素电极周围，所述公共栅格位于每个所述保护环之间；所述像素电极和所述保护环之间的间距不小于0.02mm；所述保护环的外环与所述公共栅格和所述边缘栅格的间距均不小于0.05mm。
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