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龙图腾网获悉北京市科学技术研究院申请的专利一种抗等离子体刻蚀高熵涂层及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120425303B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510926498.2，技术领域涉及：C23C14/32；该发明授权一种抗等离子体刻蚀高熵涂层及其制备方法和应用是由张一凡;李倩;庞盼;金小越;侯庆艳设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗等离子体刻蚀高熵涂层及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及载能离子束技术在集成电路装备领域的应用，公开抗等离子体刻蚀高熵涂层及其制备方法和应用。高熵涂层包含依次设置在基体上的YAlZrGdEr离子注入钉扎混合层、YAlZrGdEr高熵合金缓冲层、YAlZrGdErOx高熵氧化物层；其中，所述YAlZrGdEr高熵合金缓冲层和YAlZrGdErOx高熵氧化物层循环沉积。本发明高熵涂层硬度大于20GPa、HE大于0.1、H3E2大于0.3、附着力大于30N；晶粒尺寸小于50nm，表面粗糙度小于2nm。

本发明授权一种抗等离子体刻蚀高熵涂层及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种抗等离子体刻蚀高熵涂层的制备方法，其特征在于，具体步骤为： S01.衬底清洗将基体用丙酮、无水乙醇和去离子水依次清洗，干燥； S02.Hall离子源刻蚀对基体进行低能小束流刻蚀，刻蚀过程中，离子能量为0.05‑0.1 eV，束流强度为55‑80 mA，刻蚀温度为40‑80 ℃，反应气体选自Ar、O2或N2； S03. MEVVA离子共注入对基体进行大束流YAlZrGdEr金属离子共注入，注入过程中，离子能量为40‑80 keV，束流强度为2‑8 mA，处理剂量为1015‑1016 atoms cm‑2； S04.磁过滤阴极真空弧高熵合金涂层共沉积在基体表面沉积YAlZrGdEr高熵合金缓冲层，沉积过程中，弧光放电电流为70‑130 A，磁场电流为2.0‑3.0 A，衬底脉冲负偏压为0‑400 V，脉冲频率为10‑100 Hz，沉积温度为200‑350 ℃； S05.磁过滤阴极真空弧高熵氧化物涂层共沉积YAlZrGdErOx沉积过程中，弧光放电电流为70‑130 A，磁场电流为2.0‑3.0 A，衬底脉冲负偏压为0‑400 V，脉冲频率为10‑100 Hz，氧气通量为0‑80 sccm，沉积温度为300‑500 ℃； S06.处理完成； 所述抗等离子体刻蚀高熵涂层，包含依次设置在基体上的YAlZrGdEr离子注入钉扎混合层、YAlZrGdEr高熵合金缓冲层、YAlZrGdErOx高熵氧化物层； 其中，所述YAlZrGdEr高熵合金缓冲层和YAlZrGdErOx高熵氧化物层循环沉积； 所述抗等离子体刻蚀高熵涂层应用于等离子体刻蚀设备中。

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