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龙图腾网获悉成都森未科技有限公司申请的专利一种功率器件击穿电压参数测试系统与方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120446700B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510962128.4，技术领域涉及：G01R31/12；该发明授权一种功率器件击穿电压参数测试系统与方法是由王思亮;庞洲;胡强;蒋兴莉;田绍据;张甜甜;何磊设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率器件击穿电压参数测试系统与方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种功率器件击穿电压参数测试系统与方法，其中，控制模块分别与高压电源模块、电流调节模块、数模转换模块以及采集卡连接，数模转换模块与电流调节模块连接；高压电源模块的正端连接电流调节模块的第一端，高压电源模块的负端连接待测IGBT的发射极，电流调节模块的第二端连接待测IGBT的集电极；采集卡与数据采集模块连接，数据采集模块还与待测IGBT的集电极和发射极连接，采集卡还用于连接上位机。通过改变电流设定条件，可以对应调节待测IGBT的供电回路上的电流，从而在高压且设定电流值的环境下完成击穿电压测试，满足在各种测试场景下对IGBT的击穿电压参数进行测试的需求。

本发明授权一种功率器件击穿电压参数测试系统与方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件击穿电压参数测试系统，其特征在于，所述测试系统包括：控制模块、高压电源模块、电流调节模块、数模转换模块、数据采集模块以及采集卡；所述控制模块分别与所述高压电源模块、所述电流调节模块、所述数模转换模块以及所述采集卡连接，所述数模转换模块与所述电流调节模块连接； 所述高压电源模块的正端连接所述电流调节模块的第一端，所述高压电源模块的负端连接待测IGBT的发射极，所述电流调节模块的第二端连接所述待测IGBT的集电极； 所述采集卡与所述数据采集模块连接，所述数据采集模块还与所述待测IGBT的集电极和发射极连接，所述采集卡还用于连接上位机； 所述电流调节模块包括限流保护单元、档位选择单元以及电流预设单元，所述限流保护单元的输入端连接于所述高压电源模块，所述限流保护单元的输出端连接于所述档位选择单元的输入端，所述档位选择单元的输出端连接于所述待测IGBT的集电极，所述档位选择单元的采集端连接于所述电流预设单元的第一输入端； 所述档位选择单元的调控端与所述控制模块连接，所述电流预设单元的第二输入端与所述数模转换模块连接，所述电流预设单元的输出端连接于所述限流保护单元的第一调控端，所述档位选择单元包括至少两条采集通路，不同采集通路上部署的采样电阻的阻值不同； 所述控制模块用于向所述数模转换模块发送与电流设定条件匹配的设定电流值；所述数模转换模块用于向所述电流调节模块提供参考电压，所述参考电压与所述设定电流值匹配； 所述控制模块用于根据所述设定电流值向所述档位选择单元发送采集档位信号； 所述档位选择单元用于切换目标采集通路导通，并将路径电压反馈给所述电流预设单元；其中，所述目标采集通路为所述采集档位信号对应的采集通路，所述路径电压为所述目标采集通路中的采样电阻两端的电压； 所述电流预设单元用于根据所述参考电压和所述路径电压生成调节信号，并将所述调节信号提供给所述限流保护单元； 所述限流保护单元用于根据所述调节信号，调节其内部电阻，从而使回路电流保持为所述设定电流值。

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