中国人民解放军国防科技大学池雅庆获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利基于高能脉冲离子束的微处理器单粒子试验方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120446728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510936320.6，技术领域涉及：G01R31/303；该发明授权基于高能脉冲离子束的微处理器单粒子试验方法及系统是由池雅庆;喻国芳;姚啸虎;冯双林;高宇林;邓睿祺;梁斌;陈建军设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于高能脉冲离子束的微处理器单粒子试验方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于高能脉冲离子束的微处理器单粒子试验方法及系统，本发明方法包括获取单粒子试验系统进行单粒子试验的死区时间，所述单粒子试验的死区时间是指单粒子试验系统捕获单次单粒子功能中断事件后无法记录单粒子功能中断事件的时间；在对被试验的集成电路进行单粒子试验时，调节单粒子试验系统中测试系统的死区时间使得高能脉冲离子束的无束流时间、单粒子试验系统的死区时间两者重叠，以防止单粒子功能中断事件发生在单粒子试验系统在死区时间中导致单粒子试验系统无法准确识别单粒子功能中断事件的问题。本发明旨在提升基于高能脉冲离子束的微处理器单粒子试验中单粒子功能中断SEFI事件的准确度。
本发明授权基于高能脉冲离子束的微处理器单粒子试验方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于高能脉冲离子束的微处理器单粒子试验方法，其特征在于，包括下述步骤： S1，获取单粒子试验系统进行单粒子试验的死区时间，所述单粒子试验的死区时间是指单粒子试验系统捕获单次单粒子功能中断事件后无法记录单粒子功能中断事件的时间； S2，在对被试验的集成电路进行单粒子试验时，调节单粒子试验系统中测试系统的死区时间使得高能脉冲离子束的无束流时间、单粒子试验系统的死区时间两者重叠，以防止单粒子功能中断事件发生在单粒子试验系统在死区时间中导致单粒子试验系统无法准确识别单粒子功能中断事件的问题。
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