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龙图腾网获悉鄂尔多斯市隆基光伏科技有限公司申请的专利一种太阳能电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120456671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510955714.6，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权一种太阳能电池和光伏组件是由杨三川设计研发完成，并于2025-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本发明公开一种太阳能电池和光伏组件，用于兼顾陷光、防漏电、提高少数载流子寿命和提升电池效率。包括硅基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和钝化层；硅基底有第一面、第二面和侧面；第一面具有金字塔结构，侧面包括依次分布的第一区、第二区和第三区；第一区临近第一面，第三区临近第二面；第二区相对第一区向硅基底内凹陷的距离为2μm~10μm；第一区具有第一金字塔结构，第二区具有第二金字塔结构，第三区具有第三金字塔结构和或第一纹理结构；导电类型相反的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层分别设置于第一面和第二面；钝化层设置于第一面、第二面和侧面。

本发明授权一种太阳能电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括硅基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和钝化层； 所述硅基底具有相对的第一面、第二面以及连接所述第一面和所述第二面的侧面； 所述第一面具有多个金字塔结构，所述侧面包括沿所述第一面至所述第二面的方向依次分布的第一区、第二区和第三区；所述第一区临近所述第一面，所述第三区临近所述第二面，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间； 所述第二区相对所述第一区向所述硅基底内凹陷，且凹陷的第一距离为2μm~10μm； 所述第一区具有多个第一金字塔结构，所述第二区具有多个第二金字塔结构，所述第三区具有多个第三金字塔结构和或多个第一纹理结构； 所述第一掺杂半导体层设置于所述第一面； 所述第二掺杂半导体层设置于所述第二面，所述第一掺杂半导体层与所述第二掺杂半导体层的导电类型相反； 所述钝化层设置于所述第一面、所述第二面和所述侧面，所述钝化层位于所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层的远离所述硅基底的一面。

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