浙江大学杭州国际科创中心杨艳伟获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种碳化硅表面高取向、低介电涂层的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120463535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510955610.5，技术领域涉及：C04B41/89；该发明授权一种碳化硅表面高取向、低介电涂层的制备方法及应用是由杨艳伟;张笑维;张海兵;黄渊超;皮孝东;杨德仁设计研发完成，并于2025-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅表面高取向、低介电涂层的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅表面高取向、低介电涂层的制备方法及应用，在碳化硅表面生成一层高度取向的MFI型分子筛结构的涂层。本发明采用二次生长的方法进行涂层制备，由于涂层与基底之间是利用分子间氢键作用连接的，区别与传统涂层与基底之间的范德华力作用，所以涂层的结合力较好，在高温环境下也不会脱落；并且采用十二烷基胍单盐酸盐作为孪晶抑制剂，使涂覆的种子层在后期的连生过程中表面不易产生孪晶，从而提高MFI型分子筛涂层的取向性和致密性，增长使用寿命。
本发明授权一种碳化硅表面高取向、低介电涂层的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅表面高取向、低介电涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1采用水热合成法制备MFI型分子筛晶种，原料包括硅源、碱源和水； 2将所述MFI型分子筛晶种沉积在碳化硅晶圆片表面形成晶种层； 3原料采用硅源、碱源和水，并加入十二烷基胍单盐酸盐，混合均匀后得到涂层合成液，十二烷基胍单盐酸盐和硅源的摩尔比为0.1‑0.5∶1； 4将步骤2得到的含有晶种层的碳化硅晶圆片放入步骤3获得的涂层合成液中，进行水热合成反应，获得所述碳化硅表面高取向、低介电涂层； 步骤2中，首先在碳化硅晶圆片表面粘结聚合物胶带，取步骤1中制得的MFI型分子筛晶种进行研磨分散，取MFI型分子筛晶种覆盖在所述聚合物胶带表面，然后沿着逆时针方向进行擦涂，将擦涂后的碳化硅晶圆片进行焙烧，去除聚合物胶带，使MFI型分子筛晶种沉积在碳化硅晶圆片表面。
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