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龙图腾网获悉浙江丽水中欣晶圆半导体材料有限公司申请的专利一种减少放肩断线率及提高等径近完美单晶良率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120465095B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510940299.7，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权一种减少放肩断线率及提高等径近完美单晶良率的方法是由钟克全;赵辉;姬周茹;蒲治安;冯禹轲设计研发完成，并于2025-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减少放肩断线率及提高等径近完美单晶良率的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料生产技术领域，具体是一种减少放肩断线率及提高等径近完美单晶良率的方法，包括：引晶阶段：通过引晶光圈明亮度判断引晶温度范围，通过液面温度进行微调，使引晶温度处于过去10次引晶温度的平均值±2℃范围内以后开始引晶；放肩阶段：设定固定目标拉速、细化放肩区间的埚随值，通过数据模拟使埚随值与放肩肩型匹配，通过PID程序干预，使液口距偏差≤0.2mm；转肩阶段：设定固定转肩拉速和非固定的埚随值，PID程序进行干预，增加埚随的干涉比例，使液口距偏差≤0.3mm；等径初期：根据温度梯度设定对应的埚随值，通过PID的调整埚随值，快速稳定晶棒直径的同时，使液口距的实际值偏差≤0.1mm。

本发明授权一种减少放肩断线率及提高等径近完美单晶良率的方法在权利要求书中公布了：1.一种减少放肩断线率及提高等径近完美单晶良率的方法，其特征在于，包括： 1引晶阶段：通过引晶光圈的明亮度和大小判断当前的引晶温度范围，再通过液面温度对引晶温度进行微调，待光圈明亮度和液面温度都达到预期范围，当前的引晶温度调整到处于过去若干次引晶温度的平均值±2℃范围内以后，开始进行引晶；无论单晶炉的保温性能如何，10 次引晶温度的平均值需在1460～1480℃范围内； 2放肩阶段：设定固定目标拉速、根据放肩的肩型去计算对应位置的肩型重量，然后通过肩型重量和硅液密度计算出硅液体积，再通过硅液体积和坩埚内径计算出对应的埚升值，通过埚升值进一步获得埚随值，使埚随值与放肩肩型匹配，通过放肩工序的PID程序进行干预，使放肩期间的液口距和目标液口距的偏差≤0.2mm； 放肩采用时间‑温度轴和放肩高度‑埚随两项参数综合控制；其中，放肩需要不断降低温度，时间‑温度轴即每多少时间降低多少温度，放肩高度‑埚随即随着放肩高度增加，液面会逐渐降低，埚随需要根据放肩高度进行调整，从而保持液口距； 3转肩阶段：设定固定转肩拉速、预设一个与目标埚随值接近的埚随值，通过PID程序进行干预，增加埚随的干涉比例，使转肩期间的液口距和目标液口距的偏差≤0.3mm； 4等径初期：等径初期根据温度梯度设定对应的埚随值，再通过PID的调整埚随值，快速稳定晶棒直径的同时，使液口距的实际值与目标值的偏差≤0.1mm。

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