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龙图腾网获悉长春市华信科瑞光电技术有限公司申请的专利片上全光开关及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120491369B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510977735.8，技术领域涉及：G02F1/35；该发明授权片上全光开关及其制备方法是由闫峻;杨俊风;赵家俊;张大伟设计研发完成，并于2025-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本片上全光开关及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及智能制造领域，具体公开了一种片上全光开关及其制备方法，其通过实时监测激光干涉信号来获取当前蚀刻速率与累积深度，建立实时的工艺状态反馈。随后，该实时状态被送入一个基于速率剖面配方的PID控制回路，通过与目标速率进行比较，动态调整刻蚀功率。然而，为根除工艺波动和测量误差带来的深层不确定性，进一步PID控制前，智能地分析当前蚀刻速率与PID增益参数之间的复杂内在关联，并生成一个后馈调节前置响应编码向量，进而解码出对累积蚀刻深度的校正因子。这种前置性的智能校正，确保了PID控制器始终基于最准确的状态信息和最优化的目标进行决策。进而，实现片上全光开关的智能化制备。

本发明授权片上全光开关及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种片上全光开关的制备方法，其特征在于，包括： 提供SOI晶圆，所述SOI晶圆包括硅衬底、位于所述硅衬底上方的埋氧层和位于所述埋氧层上方的顶层硅； 对所述SOI晶圆进行化学清洗以得到化学清洗后SOI晶圆； 对所述化学清洗后SOI晶圆进行电子束光刻以在所述化学清洗后SOI晶圆上形成光刻胶图形，包括：对所述化学清洗后SOI晶圆进行光刻胶旋涂处理后，再对旋涂好光刻胶的晶圆进行前烘处理和电子束曝光处理，并将所述曝光后的晶圆浸入特定的显影液中以得到所述光刻胶图形； 对所述光刻胶图形进行等离子体刻蚀以得到光学波导结构； 在所述光学波导结构上沉积一层包层材料以形成完全覆盖所述光学波导结构的上包层以得到片上全光开关芯片； 对所述片上全光开关芯片进行芯片切割与封装以得到片上全光开关的阵列； 其中，对旋涂好光刻胶的晶圆进行前烘处理和电子束曝光处理，包括：从激光干涉信号中提取当前工艺状态，并基于当前工艺状态和速率剖面配方进行PID控制以输出执行器指令，并将其发送给硬件执行； 其中，从激光干涉信号中提取当前工艺状态，并基于当前工艺状态和速率剖面配方进行PID控制以输出执行器指令，并将其发送给硬件执行，包括：响应于任务请求，从配方数据库提取与任务请求匹配的速率剖面配方和初始工艺参数，所述初始工艺参数包括基础气体流量、功率以及PID控制器的增益参数；将所述初始工艺参数通过驱动层发送给ICP‑RIE硬件；通过高频数据采集模块获取实时数据流；从所述实时数据流中剥离激光干涉信号，并基于所述激光干涉信号计算当前蚀刻速率和累积蚀刻深度以得到当前工艺状态；基于所述当前工艺状态和所述速率剖面配方来进行PID控制以得到控制输出信号；将所述控制输出信号通过转换函数以得到新功率值；将所述新功率值封装成ICP‑RIE硬件能够识别的执行器指令，并通过驱动层将所述执行器指令发送给硬件执行； 其中，从所述实时数据流中剥离激光干涉信号，并基于所述激光干涉信号计算当前蚀刻速率和累积蚀刻深度以得到当前工艺状态，包括：获取关键参数，所述关键参数为每个干涉周期所对应的实际刻蚀深度；对所述激光干涉信号进行周期计数以得到周期总数和当前未完成周期的分数；将所述周期总数和所述当前未完成周期的分数之和乘以所述关键参数以得到所述累积蚀刻深度；对所述激光干涉信号进行快速傅里叶变换以得到峰值频率；将所述峰值频率乘以所述关键参数以得到所述当前蚀刻速率；将所述累积蚀刻深度和所述当前蚀刻速率组装成所述当前工艺状态。

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