买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120500077B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510996648.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体器件及其制备方法、芯片是由蔡子东;胡浩林;戴心玥;房育涛;高园设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决增强型半导体器件中，栅极与沟道层之间的区域的2DEG浓度较高，将其耗尽变得困难的问题；所述半导体结构包括：衬底、沟道层和势垒层、p‑GaN层、源极、漏极、栅极和功能层；衬底、沟道层和势垒层依次层叠设置；p‑GaN层设于势垒层远离沟道层的一侧；栅极设于源极和漏极之间，且栅极设于p‑GaN层远离衬底的一侧；源极和漏极设于势垒层或沟道层远离衬底的一侧；功能层设于势垒层远离沟道层的一侧，且设于p‑GaN层和漏极之间，功能层还与p‑GaN层接触连接；其中，功能层的材料包括：AlyGa1‑yN；势垒层的材料包括：AlxGa1‑xN；x＞y，且y可以为0。

本发明授权半导体器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底、沟道层和势垒层；以及，p‑GaN层，设于所述势垒层远离所述沟道层的一侧； 源极、漏极及设于所述源极和所述漏极之间的栅极，所述栅极设于所述p‑GaN层远离所述衬底的一侧，所述源极和所述漏极设于所述势垒层或所述沟道层远离所述衬底的一侧； 功能层，设于所述势垒层远离所述沟道层的一侧，且设于所述p‑GaN层和所述漏极之间，所述功能层还与所述p‑GaN层接触连接； 其中，所述功能层的材料包括：AlyGa1‑yN；所述势垒层的材料包括：AlxGa1‑xN；x＞y，且y≥0； 所述功能层包括：多层功能子层；所述多层功能子层沿第一方向层叠设置；所述第一方向为所述衬底的厚度方向；所述多层功能子层包括：任意相邻设置的第一功能子层和第二功能子层，且所述第二功能子层设于所述第一功能子层远离所述势垒层的一侧；所述第一功能子层沿第二方向的尺寸，大于所述第二功能子层沿所述第二方向的尺寸，所述第二方向为沿所述栅极向所述漏极的排布方向。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。