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龙图腾网获悉北京炎黄国芯科技有限公司申请的专利一种多负载条件下的电源管理芯片自适应调制切换方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120523042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511012850.8，技术领域涉及：G05B13/04；该发明授权一种多负载条件下的电源管理芯片自适应调制切换方法及系统是由郭虎;李建伟;王新泽;刘克帅;李小兵设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多负载条件下的电源管理芯片自适应调制切换方法及系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种多负载条件下的电源管理芯片自适应调制切换方法及系统。其中，本申请同步采集芯片封装表面红外热流分布数据；对所述热流分布数据执行梯度方向场分析，识别热冲突区域；通过热传导路径将温度梯度传递至双金属悬臂梁结构，触发弓形形变；结合弓形形变与热冲突区域空间分布范围重组多相PWM调制器的相位分配序列：将覆盖热冲突区域的供电相位标记为高发热相位，远离区域的相位标记为低发热相位；向高发热相位MOSFET驱动器发送关断指令，同时按热冲突区域温度差值比例提升低发热相位PWM占空比，并维持GPU供电区总功率需求。本申请提升电源管理芯片在突发计算与常驻传感器负载冲突场景下的动态散热效率与供电稳定性。

本发明授权一种多负载条件下的电源管理芯片自适应调制切换方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种多负载条件下的电源管理芯片自适应调制切换方法，其特征在于，包括： 在可穿戴设备执行突发计算任务时，同步采集电源管理芯片封装表面的红外热流分布数据，所述红外热流分布数据包含GPU供电区与非易失性存储供电区的热辐射强度差异； 对所述红外热流分布数据执行梯度方向场分析，根据分析结果识别所述GPU供电区与非易失性存储供电区的交界处形成的热冲突区域； 当所述热冲突区域持续存在时，通过热传导路径将所述热冲突区域的温度梯度传递至双金属悬臂梁结构，使所述双金属悬臂梁结构发生朝向芯片内部铜箔触点的弓形形变； 基于所述弓形形变的位移方向与接触压力，结合所述热冲突区域的空间分布范围，重组多相PWM调制器的相位分配序列，通过重组过程将覆盖所述热冲突区域的供电相位标记为高发热相位，将远离所述热冲突区域的供电相位标记为低发热相位； 向所述高发热相位对应的MOSFET驱动器发送关断指令，同时按所述热冲突区域的温度差值比例提升所述低发热相位的PWM占空比，使所述低发热相位输出的补偿功率维持所述GPU供电区的总功率需求。

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