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龙图腾网获悉宁波大学申请的专利一种硅纳米线及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120527378B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511020554.2，技术领域涉及：H01M4/38；该发明授权一种硅纳米线及其制备方法和应用是由陈王华;朱贤骏;余睿智;师昳婧设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅纳米线及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅纳米线及其制备方法和应用。所述硅纳米线的制备方法包括以下步骤：1在不锈钢集流体上采用磁控溅射方法沉积锡催化薄膜；2将步骤1得到的不锈钢集流体转移至反应腔体中，采用氢气等离子体对锡催化薄膜进行还原处理；3将步骤2得到的不锈钢集流体上采用第一等离子体辅助化学气相沉积技术进行核生长；4将步骤3得到的不锈钢集流体上采用第二等离子体辅助化学气相沉积技术进行壳生长，得到所述硅纳米线。本发明通过等离子体增强化学气相沉积技术制备一种三维“可呼吸”式的硅纳米线，利用其“可呼吸”结构有效缓解硅负极在充放电过程中的体积膨胀，实现更高的循环稳定性和更长的使用寿命。

本发明授权一种硅纳米线及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种硅纳米线的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 1在不锈钢集流体上采用磁控溅射方法沉积锡催化薄膜； 2将步骤1得到的不锈钢集流体转移至反应腔体中，采用氢气等离子体对锡催化薄膜进行还原处理； 3将步骤2得到的不锈钢集流体上采用第一等离子体辅助化学气相沉积技术进行核生长； 4将步骤3得到的不锈钢集流体上采用第二等离子体辅助化学气相沉积技术进行壳生长，得到所述硅纳米线； 其中，步骤3中，所述核生长的条件为：不锈钢集流体基底温度为450~600℃，射频功率密度为1~1.23Wcm2，腔室压力为500~1000Pa，所述第一等离子体包括H2、SiH4和PH3，所述H2的流量为200~500sccm，SiH4的流量为2.9~10sccm，PH3的流量为10sccm，核生长的时间为30~120min； 步骤4中，所述壳生长的条件为：不锈钢集流体基底温度为450~600℃，射频功率密度为1~1.23Wcm2，腔室压力为500~1000Pa，所述第二等离子体包括H2、SiH4和PH3，所述H2的流量为200~500sccm，SiH4的流量为5~20sccm，PH3的流量为10sccm，壳生长的时间为60~180min。

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