深圳市好盈科技股份有限公司梁启源获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市好盈科技股份有限公司申请的专利一种电调MOS短路检测的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120559425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511084413.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种电调MOS短路检测的方法及系统是由梁启源;庞智;许磊;谈泰平;阳健;张捷设计研发完成，并于2025-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电调MOS短路检测的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明属于无刷电机技术领域，具体涉及一种电调MOS短路检测的方法及系统，本发明通过初始化系统并设置动态阈值，依次对每相下桥和上桥MOSFET发送极短脉冲，同时关闭另一侧所有MOSFET，形成特定电流路径。利用低侧电流采样电阻或霍尔传感器实时捕获母线电流峰值并与动态阈值对比，准确判断是否存在短路故障，解决了现有基于相电压浮空检测方法因电机中性点不对称接地或寄生电容导致的高误判率问题；此方法直接依赖电流信号反映物理短路状况，避免了传统电压法中的浮空电位不确定性，提高了检测准确性与可靠性；逐相扫描方式防止多相干扰，提升了故障定位精度。
本发明授权一种电调MOS短路检测的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种电调MOS短路检测的方法，其特征在于，包括以下步骤： 初始化系统并设置动态阈值，动态阈值由母线电压、电机电感和脉冲宽度计算得到； 依次对每相下桥MOSFET发送脉冲，同时关闭所有上桥MOSFET，若某相上桥MOSFET短路，则形成短路上桥、下桥、地的电流路径； 通过低侧电流采样电阻或霍尔传感器实时捕获母线电流峰值，若电流峰值超过动态阈值，则判定对应相位上桥MOSFET短路； 依次对每相上桥MOSFET发送脉冲，同时关闭所有下桥MOSFET，若某相下桥MOSFET短路，则形成上桥、短路下桥、地的电流路径； 通过低侧电流采样电阻或霍尔传感器实时捕获母线电流峰值，若电流峰值超过所述动态阈值，则判定对应相位下桥MOSFET短路。
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