无锡国芯微高新技术有限公司郑茳获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡国芯微高新技术有限公司申请的专利应用于PSRAM控制器的数据读取方法、缓存设备和系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120561045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511045380.5,技术领域涉及:G06F13/16;该发明授权应用于PSRAM控制器的数据读取方法、缓存设备和系统是由郑茳;肖佐楠;匡启和;孙玉桥设计研发完成,并于2025-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本应用于PSRAM控制器的数据读取方法、缓存设备和系统在说明书摘要公布了:本申请公开应用于PSRAM控制器的数据读取方法、缓存设备和系统,涉及PSRAM领域,接收读请求和获取待读数据地址;获取缓存的预读数据地址,将预读数据地址与待读数据地址进行匹配,确定数据命中情况;当部分命中预读数据地址时,确定未命中的第二待读数据地址;向控制器发送第二读请求,在请求后的响应时间内,从PSRAM中获取第二待读数据和第三预读数据;将其中预存部分的第一待读数据,和从PSRAM中提取的第二待读数据输出。通过地址匹配机制判断读请求的命中情况,有效减少PSRAM访问次数,同时利用连续地址预读特性提升后续访问效率,显著优化了连续和非连续地址访问的响应速度。
本发明授权应用于PSRAM控制器的数据读取方法、缓存设备和系统在权利要求书中公布了:1.一种应用于PSRAM控制器的数据读取方法,其特征在于,所述方法用于主机与伪静态随机存储器PSRAM控制器之间的缓存设备,所述方法包括: 接收外部发起的读请求,提取所述读请求中包含的连续待读数据地址; 获取内部缓存的预读数据地址,将所述预读数据地址与提取的所述待读数据地址进行地址匹配,确定数据命中情况;所述预读数据地址与预读数据一一对应且预存于所述缓存设备; 当所述读请求部分命中所述预读数据地址时,基于所述待读数据地址匹配未命中地址段确定出第二待读数据地址;部分命中指示待读数据的地址区间与预读数据的地址区间存在部分重叠; 向PSRAM控制器发送第二读请求,在请求后的响应时间内,从PSRAM中获取对应的第二待读数据和第三预读数据;所述第二读请求是基于所述第二待读数据未命中地址段确定生成的补充读取操作,所述第三预读数据与所述第二待读数据在地址上连续,且预存于所述缓存设备; 其中,从所述缓存设备命中的第一待读数据,和从所述PSRAM中提取的所述第二待读数据经过所述缓存设备送出。
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