长春长光圆辰微电子技术有限公司叶武阳获国家专利权
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龙图腾网获悉长春长光圆辰微电子技术有限公司申请的专利基于条型终端的沟槽肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511057949.X，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权基于条型终端的沟槽肖特基二极管及其制备方法是由叶武阳;李彦庆;蔡雨杉;李天成;孙萱设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于条型终端的沟槽肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种基于条型终端的沟槽肖特基二极管及其制备方法。包括半导体衬底及其内部多个沟槽结构、势垒金属层和电极；沟槽结构包括外侧终端沟槽结构及内侧单胞沟槽结构；终端沟槽结构包括N条终端沟槽，最内侧终端沟槽宽度大于单胞沟槽宽度，1≤N≤10；N条终端沟槽的间距从内向外逐渐增大；终端沟槽为条型；单胞沟槽结构包括内测呈等边三角形阵列分布的圆孔单胞沟槽，和由圆孔单胞沟槽和椭圆孔单胞沟槽等间距交替排列分布的外圈单胞沟槽结构；终端沟槽结构和单胞沟槽结构包括沟槽、覆盖沟槽内壁的栅氧化层和位于栅氧化层表面且填充满沟槽的多晶硅填充层。优点在于：反向耐压时电场均匀分布，降低失效风险。
本发明授权基于条型终端的沟槽肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于条型终端的沟槽肖特基二极管，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底内的多个沟槽结构、连接所述沟槽结构的势垒金属层和所述半导体衬底表面的电极；其特征在于：所述沟槽结构包括外侧的终端沟槽结构以及内侧的单胞沟槽结构； 所述终端沟槽结构包括N条终端沟槽，最内侧终端沟槽的宽度大于单胞沟槽的宽度，1≤N≤10；N条终端沟槽的间距从内向外逐渐增大；终端沟槽为条型； 所述单胞沟槽结构包括内测呈等边三角形阵列分布的圆孔单胞沟槽，和靠近最内侧终端沟槽的外圈单胞沟槽结构；外圈单胞沟槽结构由圆孔单胞沟槽和椭圆孔单胞沟槽等间距交替排列分布； 所述终端沟槽结构和所述单胞沟槽结构包括沟槽、覆盖所述沟槽内壁的栅氧化层和位于所述栅氧化层表面且填充满所述沟槽的多晶硅填充层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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