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龙图腾网获悉江苏帝奥微电子股份有限公司申请的专利一种能够快速选择功率MOS衬底电位的集成式版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511044602.1，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权一种能够快速选择功率MOS衬底电位的集成式版图结构是由卞习伟;鞠建宏;吕宇强设计研发完成，并于2025-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种能够快速选择功率MOS衬底电位的集成式版图结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种能够快速选择功率MOS衬底电位的集成式版图结构，包含功率MOS管PMO、衬底电位选择MOS管PM1和衬底电位选择MOS管PM2，将功率MOS管PMO、衬底电位选择MOS管PM1和衬底电位选择MOS管PM2拆分为多个子单元，一个功率MOS管PM0子单元、衬底电位选择MOS管PM1子单元和衬底电位选择MOS管PM2子单元构成一个基础功能单元，一个基础功能单元中衬底电位选择MOS管PM1子单元和衬底电位选择MOS管PM2子单元对称设置在功率MOS管PM0子单元的两侧。本发明节省芯片面积，简化了大电流路径金属布线，提高电位切换速度、实现电位均匀分布。

本发明授权一种能够快速选择功率MOS衬底电位的集成式版图结构在权利要求书中公布了：1.一种能够快速选择功率MOS衬底电位的集成式版图结构，其特征在于：包含功率MOS管PMO、衬底电位选择MOS管PM1和衬底电位选择MOS管PM2，将功率MOS管PMO拆分为A个功率MOS管PM0子单元，将衬底电位选择MOS管PM1和衬底电位选择MOS管PM2分别拆分为B个衬底电位选择MOS管PM1子单元和衬底电位选择MOS管PM2子单元，A≥B，一个功率MOS管PM0子单元、衬底电位选择MOS管PM1子单元和衬底电位选择MOS管PM2子单元构成一个基础功能单元，一个基础功能单元中衬底电位选择MOS管PM1子单元和衬底电位选择MOS管PM2子单元对称设置在功率MOS管PM0子单元的两侧； 所述基础功能单元中，衬底电位选择MOS管PM1子单元和衬底电位选择MOS管PM2子单元的输出端分别位于基础功能单元的两侧最外侧，衬底电位选择MOS管PM1子单元和衬底电位选择MOS管PM2子单元的输出端以CONT接触孔中心线为分界，位于内侧的输出端保持P型掺杂作为衬底电位选择MOS管PM1子单元或衬底电位选择MOS管PM2子单元的源端，位于外侧的输出端进行N掺杂使其成为衬底电位选择MOS管PM1子单元或衬底电位选择MOS管PM2子单元的衬底接触结构。

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