季华实验室徐秀兰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种半硬磁合金薄膜材料、制备方法及磁栅器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120591726B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511100728.6，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种半硬磁合金薄膜材料、制备方法及磁栅器件是由徐秀兰;单欣;于广华;任宏宇;何强设计研发完成，并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半硬磁合金薄膜材料、制备方法及磁栅器件在说明书摘要公布了：本申请属于金属磁性薄膜技术领域，具体涉及一种半硬磁合金薄膜材料、制备方法及磁栅器件。本申请所提供的半硬磁合金薄膜材料的制备方法包括以下步骤：对基材进行清洗，随后对基材的表面沉积FeCoCr薄膜，得到制备态FeCoCr薄膜，随后对制备态FeCoCr薄膜进行Al离子注入，随后进行真空退火；Al离子注入中，注入能量28keV‑32keV，偏置电压450V‑500V；真空退火的温度为540℃‑560℃。本申请所提供的特定的半硬磁合金薄膜材料的制备方法中，通过特定的方法在FeCoCr薄膜中注入Al离子，使薄膜的调幅分解温度降低，进而只需较低温度的退火处理，即可获得高磁性能的FeCoCr薄膜，从而避免了传统方法中高温加工导致的材料缺陷。
本发明授权一种半硬磁合金薄膜材料、制备方法及磁栅器件在权利要求书中公布了：1.一种半硬磁合金薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对基材进行清洗，得到预处理基材，随后于所述预处理基材的表面沉积FeCoCr薄膜，得到制备态FeCoCr薄膜，随后对所述制备态FeCoCr薄膜进行Al离子注入，随后进行真空退火；所述Al离子注入的过程中，注入能量为28 keV ‑ 32 keV，偏置电压为450 V ‑ 500 V；所述真空退火的温度为540 ℃ ‑ 560 ℃。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人季华实验室，其通讯地址为：528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励