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龙图腾网获悉淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种TBC太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120614900B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511120473.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种TBC太阳能电池及其制备方法是由安欣睿设计研发完成，并于2025-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TBC太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳电池的技术领域，具体涉及一种TBC太阳能电池及其制备方法，其包括以下步骤：S1、抛光；S2、一次沉积和掺杂；S3、一次激光处理；S4、碱液处理；S5、二次沉积和掺杂；S6、二次激光处理；S7、酸液处理；S8、碱液处理和制绒；S9、清洗；S10、氧化铝沉积；S11、钝化层沉积；S12、丝网印刷：采用同种浆料一次印刷正负极副栅，所述凹槽内的负电极副栅扎入掺磷多晶硅层的银刺深度和密度均低于凹槽外的正电极副栅扎入掺硼多晶硅层的银刺深度和密度。本申请具有保证使用同样成分的银浆一道印刷正极副栅和负极副栅并在相同的烧结条件下不会导致P区欠烧结或N区过烧结的情况，有助于降低生产成本的效果。

本发明授权一种TBC太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、抛光； S2、一次沉积和扩散：在抛光后的硅片背面依次制备隧穿氧化层、掺硼多晶硅层和硼硅玻璃层； S3、一次激光处理：对硅片背面进行激光扫描，扫描区域间隔排布； S4、碱液处理：将激光处理后的硅片进行碱液处理，在硅片背面形成间隔排布的凹槽，所述凹槽内的塔基尺寸大于凹槽外的塔基尺寸； S5、二次沉积和扩散：在硅片的背面依次制备隧穿氧化层、掺磷多晶硅和磷硅玻璃层； S6、二次激光处理：对硅片背面未进行一次激光处理的区域进行激光扫描，以及对凹槽内靠近凹槽侧壁处的一侧进行激光扫描； S7、酸液处理：对硅片的正面进行酸液处理； S8、碱液处理和制绒：在碱液和制绒添加剂的混合溶液中对硅片进行腐蚀，在硅片正面形成金字塔绒面，同时去除硅片背面二次激光处理区域的掺磷多晶硅和磷硅玻璃层以及隧穿氧化层，所述凹槽内形成沟道区； S9、清洗； S10、氧化铝沉积：在硅片表面沉积氧化铝层； S11、钝化层沉积：在硅片表面沉积钝化减反层，所述凹槽内区域的钝化减反层厚度高于凹槽外区域的钝化减反层厚度； S12、丝网印刷：在硅片背面进行丝网印刷，然后进行烧结和光注入，采用同种浆料一次印刷正电极副栅和负电极副栅，烧结后，所述凹槽内的负电极副栅扎入掺磷多晶硅层的银刺深度和密度均低于凹槽外的正电极副栅扎入掺硼多晶硅层的银刺深度和密度； 所述S12、丝网印刷中，所述烧结温度为600‑800℃，所述凹槽内的银刺深度为40‑60nm，所述凹槽外的银刺深度为60‑120nm，所述凹槽外与凹槽内的银刺密度比值为2‑10。

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