浙江谷蓝电子科技有限公司房军军获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江谷蓝电子科技有限公司申请的专利一种SIC功率半导体老化测试装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223413416U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422413661.9，技术领域涉及：G01R31/26；该实用新型一种SIC功率半导体老化测试装置是由房军军;姚礼军;刘志红设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SIC功率半导体老化测试装置在说明书摘要公布了：本实用新型为一种SIC功率半导体老化测试装置，包括测试装置本体，所述测试装置本体包括基板以及设置基板上的多组SiCmosfet器件，所述多组SiCmosfet器件相互之间为并联连接，通过第一引线、第二引线、第三引线和第四引线分别将每组SiCmosfet器件的G极功率极，D极功率极，S极功率极，SX极信号极分别单独引出，用于后续驱动板驱动信号的接入以及功率电容的接入。本实用新型具有结构简单合理，运行稳定，操作简单，安全可靠等优点。
本实用新型一种SIC功率半导体老化测试装置在权利要求书中公布了：1.一种SIC功率半导体老化测试装置，包括测试装置本体，其特征在于：所述测试装置本体包括基板1以及设置基板1上的多组SiCmosfet器件2，所述多组SiCmosfet器件相互之间为并联连接，通过第一引线3、第二引线4、第三引线5和第四引线6分别将每组SiCmosfet器件2的G极功率极，D极功率极，S极功率极，SX极信号极分别单独引出，用于后续驱动板驱动信号的接入以及功率电容的接入； 所述每组SiCmosfet器件2的引脚7尺寸满足在基板1上直接插接安装，使得每组SiCmosfet器件2均为可拆卸安装方式，用以方便安装固定以及重复拆装测试。
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