拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司毕孝楠获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利加热盘及薄膜沉积设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223414042U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422656282.2,技术领域涉及:H01L21/67;该实用新型加热盘及薄膜沉积设备是由毕孝楠;张亚新;阚金卓设计研发完成,并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本加热盘及薄膜沉积设备在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种加热盘及薄膜沉积设备,该加热盘包括:盘体、盘柄和至少一组抽气流道,所述盘柄连接于所述盘体的中心,所述盘体的中心在所述盘体的垂直投影方向上具有盘柄投影区,所述抽气流道包括第一抽气孔、第二抽气孔和连接流道,所述第一抽气孔设于所述盘体上,所述第二抽气孔设于所述盘柄上,所述连接流道设于所述盘体和或所述盘柄上,所述第一抽气孔通过所述连接流道与所述第二抽气孔连通;其中,所述第一抽气孔设于所述盘柄投影区之外。由此,使得第一抽气孔远离第二抽气孔,避开盘柄投影区,减少气体流动带走的热量,改善了盘柄投影区的温度偏低的情形,避免了加热盘因为外热内冷导致的碎裂。
本实用新型加热盘及薄膜沉积设备在权利要求书中公布了:1.一种加热盘,其特征在于,包括:盘体、盘柄和至少一组抽气流道,所述盘柄连接于所述盘体的中心,所述盘体的中心在所述盘体的垂直投影方向上具有盘柄投影区,所述抽气流道包括第一抽气孔、第二抽气孔和连接流道,所述第一抽气孔设于所述盘体上,所述第二抽气孔设于所述盘柄上,所述连接流道设于所述盘体和或所述盘柄上,所述第一抽气孔通过所述连接流道与所述第二抽气孔连通; 其中,所述第一抽气孔设于所述盘柄投影区之外。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司,其通讯地址为:110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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