深圳三地一芯电子股份有限公司陈向兵获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳三地一芯电子股份有限公司申请的专利异型存储芯片封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223414070U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422648367.6,技术领域涉及:H01L23/31;该实用新型异型存储芯片封装结构是由陈向兵设计研发完成,并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本异型存储芯片封装结构在说明书摘要公布了:本申请涉及一种异型存储芯片封装结构。该结构包括:基板,基板呈异型结构,基板设有球栅焊点;裸芯Flash,裸芯Flash设于基板中,裸芯Flash的Pad与球栅焊点相连接;保护胶层,保护胶层包裹基板,以使裸芯Flash覆盖于保护胶层之下,并使球栅焊点部分暴露于保护胶层之外。由于本申请是单颗裸芯Flash采用BGA封装进行封装,相较于相关技术双颗裸芯Flash的封装,本申请能够有效地降低封装成本。另外,BGA封装能够给裸芯Flash提供良好、稳定的信号传输性。
本实用新型异型存储芯片封装结构在权利要求书中公布了:1.一种异型存储芯片封装结构,其特征在于,包括: 基板,所述基板包括基材板、引线触点、球栅焊点和键合线,所述引线触点与所述球栅焊点的数量相同,所述引线触点位于所述基材板的一侧面,所述球栅焊点位于所述基材板的另一侧面,所述引线触点通过所述基材板的内部走线与所述球栅焊点相连接,所述基材板的底边开设有凹槽,所述凹槽使所述基材板呈异型结构,所述基材板设有球栅焊点; 裸芯Flash,所述裸芯Flash设于所述基材板中,所述裸芯Flash的Pad通过所述键合线与所述引线触点键合连接,以使所述裸芯Flash的Pad与所述球栅焊点相连接; 保护胶层,所述保护胶层包裹所述基材板,以使所述裸芯Flash覆盖于所述保护胶层之下,并使所述球栅焊点部分暴露于所述保护胶层之外; 所述凹槽延展至靠近所述基材板的中位线位置处,以使位于所述基板的所述球栅焊点划分成左右两部分,其中左半部分的所述球栅焊点的数量多于右半部分的所述球栅焊点的数量。
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