深圳市一博科技股份有限公司肖英华获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市一博科技股份有限公司申请的专利一种优化高速信号质量和布线通道的电路板结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223415062U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422464694.6，技术领域涉及：H05K1/02；该实用新型一种优化高速信号质量和布线通道的电路板结构是由肖英华;王灿钟设计研发完成，并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种优化高速信号质量和布线通道的电路板结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种优化高速信号质量和布线通道的电路板结构，包括FBGA芯片区域、外围接口区域和AC耦合电容，AC耦合电容呈两排分布且上下错位排布，每对差分的AC耦合电容的上焊盘通过第一差分走线与上方的FBGA芯片区域中的第一差分孔连接，每对差分的AC耦合电容的下焊盘通过第二差分走线与下方的外围接口区域的第二差分孔连接。本实用新型能实现每对差分的AC耦合电容第一差分走线的线长和第二差分走线的线长相加的长度是一样的，实现了外层走线长度相等，提升了信号质量；上下两排的AC耦合电容相互错位，第一差分走线和第二差分走线很顺畅的在相邻的AC耦合电容之间穿过，确保了FBGA芯片区域的其他信号通道不受影响。
本实用新型一种优化高速信号质量和布线通道的电路板结构在权利要求书中公布了：1.一种优化高速信号质量和布线通道的电路板结构，其特征在于，包括FBGA芯片区域、外围接口区域和若干AC耦合电容，若干所述AC耦合电容呈两排分布且上下错位排布，每对差分的所述AC耦合电容的上焊盘均通过第一差分走线与上方的FBGA芯片区域中的第一差分孔连接，所述第一差分孔位于所述AC耦合电容的左上方，每对差分的所述AC耦合电容的下焊盘均通过第二差分走线与下方的外围接口区域的第二差分孔连接，所述第二差分孔位于所述AC耦合电容的右下方。
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