上海功成半导体科技有限公司栗终盛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海功成半导体科技有限公司申请的专利一种超结MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223415190U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422762967.5，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型一种超结MOSFET器件是由栗终盛;柴展;罗杰馨设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超结MOSFET器件在说明书摘要公布了：本申请公开一种超结MOSFET器件，涉及半导体功率器件技术领域，能够改善超结MOSFET器件中的ESD的损害。该超结MOSFET器件包括：第一导电类型漏极、位于所述漏极上的柱结构、形成于所述柱结构中的源极结构；所述源极结构包括源极区和源极引线，所述源极区上包括氧化层，所述氧化层上设置有栅极结构和ESD保护结构；所述栅极结构包括栅极引线和栅极层，所述ESD保护结构分别与所述栅极引线和所述源极引线连接。
本实用新型一种超结MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种超结MOSFET器件，其特征在于，所述器件包括： 第一导电类型漏极、位于所述漏极上的柱结构、形成于所述柱结构中的源极结构； 所述源极结构包括源极区和源极引线，所述源极区上包括氧化层，所述氧化层上设置有栅极结构和ESD保护结构； 所述栅极结构包括栅极引线和栅极层，所述ESD保护结构分别与所述栅极引线和所述源极引线连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海功成半导体科技有限公司，其通讯地址为：201800 上海市嘉定区兴文路1277号5幢1层、2层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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