三星显示有限公司白种埈获国家专利权
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龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利显示装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111129158B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911046650.9，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权显示装置及其制造方法是由白种埈;郑在祐;苏炳洙设计研发完成，并于2019-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基板；所述基板上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括源极区、漏极区以及所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；以及在所述基板上并电连接到所述第一薄膜晶体管的显示器件。所述源极区、所述漏极区和所述沟道区包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂剂不同于所述第一掺杂剂。所述沟道区中的所述第一掺杂剂的浓度小于所述源极区和所述漏极区中的所述第一掺杂剂的浓度。
本发明授权显示装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造显示装置的方法，其中，所述方法包括： 在基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括源极区、漏极区以及所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；以及 形成电连接到所述薄膜晶体管的显示器件， 其中，形成所述薄膜晶体管包括： 在所述基板上形成非晶硅层； 利用第一掺杂剂对所述非晶硅层进行掺杂，所述第一掺杂剂是p型掺杂剂或n型掺杂剂； 在掺杂所述第一掺杂剂之后利用第二掺杂剂对所述非晶硅层进行掺杂，使得所述源极区、所述漏极区和所述沟道区各自包括所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂，所述第二掺杂剂是惰性气体离子； 在完成所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂的所述掺杂后，使所述非晶硅层结晶； 通过将结晶的硅层图案化来形成所述有源层；以及 利用所述第一掺杂剂对所述源极区和所述漏极区进行另外掺杂，使得所述沟道区中的所述第一掺杂剂的浓度小于所述源极区和所述漏极区中的所述第一掺杂剂的浓度。
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